规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 25A,
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole TS-6P
型号：
TS25PL05G C2G
仓库库存编号：
TS25PL05G C2G-ND
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 25A,
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole TS-6P
型号：
TS25PL05G D2G
仓库库存编号：
TS25PL05G D2G-ND
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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Renesas Electronics America
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220FP
详细描述：肖特基 表面贴装 二极管 600V 10A（DC） TO-220FP
型号：
RJS6004TDPP-EJ#T2
仓库库存编号：
RJS6004TDPP-EJ#T2-ND
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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Renesas Electronics America
DIODE SCHOTTKY 600V 15A TO220FP
详细描述：肖特基 通孔 二极管 600V 15A（DC） TO-220FP-2L
型号：
RJS6005TDPP-EJ#T2
仓库库存编号：
RJS6005TDPP-EJ#T2-ND
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 600V 10A (DC) Through Hole TO-220-3 Full Pack
型号：
RJS6004WDPK-00#T0
仓库库存编号：
RJS6004WDPK-00#T0-ND
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 600V 150A DO-205AA（DO-8）
型号：
S150J
仓库库存编号：
S150JGN-ND
别名：S150JGN
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN REV 600V 150A DO205AA
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 600V 150A DO-205AA（DO-8）
型号：
S150JR
仓库库存编号：
S150JRGN-ND
别名：S150JRGN
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 800V 150A DO-205AA（DO-8）
型号：
S150K
仓库库存编号：
S150KGN-ND
别名：S150KGN
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN REV 800V 150A DO205AA
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 800V 150A DO-205AA（DO-8）
型号：
S150KR
仓库库存编号：
S150KRGN-ND
别名：S150KRGN
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 1KV 150A DO205
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 1000V 150A DO-205AA（DO-8）
型号：
S150M
仓库库存编号：
S150MGN-ND
别名：S150MGN
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 1KV DO205AA
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 1000V 150A DO-205AA（DO-8）
型号：
S150MR
仓库库存编号：
S150MRGN-ND
别名：S150MRGN
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DO205
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 1200V 150A DO-205AA（DO-8）
型号：
S150Q
仓库库存编号：
S150QGN-ND
别名：S150QGN
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AA
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 1200V 150A DO-205AA（DO-8）
型号：
S150QR
仓库库存编号：
1242-1236-ND
别名：1242-1236
S150QRGN
S150QRGN-ND
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 30A
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 600V 15A (DC) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
型号：
RJS6005WDPK-00#T0
仓库库存编号：
RJS6005WDPK-00#T0-ND
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 320A DO205AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 600V 320A DO-205AB，DO-9
型号：
S320J
仓库库存编号：
S320JGN-ND
别名：S320JGN
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN REV 600V 320A DO205AB
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 600V 320A DO-205AB，DO-9
型号：
S320JR
仓库库存编号：
S320JRGN-ND
别名：S320JRGN
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 800V 320A DO-205AB，DO-9
型号：
S320K
仓库库存编号：
S320KGN-ND
别名：S320KGN
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN REV 800V 320A DO205AB
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 800V 320A DO-205AB，DO-9
型号：
S320KR
仓库库存编号：
S320KRGN-ND
别名：S320KRGN
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 1KV 320A DO205
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 1000V 320A DO-205AB，DO-9
型号：
S320M
仓库库存编号：
S320MGN-ND
别名：S320MGN
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 1KV DO205AB
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 1000V 320A DO-205AB，DO-9
型号：
S320MR
仓库库存编号：
S320MRGN-ND
别名：S320MRGN
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 1200V 320A DO-205AB，DO-9
型号：
S320Q
仓库库存编号：
S320QGN-ND
别名：S320QGN
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AB
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 1200V 320A DO-205AB，DO-9
型号：
S320QR
仓库库存编号：
S320QRGN-ND
别名：S320QRGN
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1000V 150A (DC) Chassis Mount Three Tower
型号：
MSRT150100(A)
仓库库存编号：
MSRT150100(A)GN-ND
别名：MSRT150100(A)GN
MSRT150100A
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 150A (DC) Chassis Mount Three Tower
型号：
MSRT150120(A)
仓库库存编号：
MSRT150120(A)GN-ND
别名：MSRT150120(A)GN
MSRT150120A
规格：不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE 1.4KV 150A 3TOWER
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1400V 150A (DC) Chassis Mount Three Tower
型号：
MSRT150140(A)
仓库库存编号：
MSRT150140(A)GN-ND
别名：MSRT150140(A)GN
MSRT150140A
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