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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 4.7M OHM 10% 1W 2010
详细描述：±10% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010KTD4M70
仓库库存编号：
HVCB2010KTD4M70-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JTC10M0
仓库库存编号：
HVCB2010JTC10M0-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 300M OHM 10% 1W 2010
详细描述：±10% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010KTL300M
仓库库存编号：
HVCB2010KTL300M-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2.21M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTL2M21
仓库库存编号：
HVCB2010FTL2M21-ND
别名：HVCB 2010 T0 2.21M 1% R
HVCB2010T02.21M1%R
HVCB2010T02.21M1%R-ND
HVCB2010T02.21MFR
HVCB2010T02.21MFR-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTL500K
仓库库存编号：
HVCB2010FTL500K-ND
别名：HVCB 2010 T0 500K 1% R
HVCB2010T0500K1%R
HVCB2010T0500K1%R-ND
HVCB2010T0500KFR
HVCB2010T0500KFR-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 249K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTL249K
仓库库存编号：
HVCB2010FTL249K-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 250M OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JKL250M
仓库库存编号：
HVCB2010JKL250M-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 4.7M OHM 10% 1W 2010
详细描述：±10% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010KKD4M70
仓库库存编号：
HVCB2010KKD4M70-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1.82K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL1K82
仓库库存编号：
HVCB2010FKL1K82-ND
别名：HVCB 2010 T0 1.82K 1% I
HVCB2010T01.82K1%I
HVCB2010T01.82K1%I-ND
HVCB2010T01.82KFI
HVCB2010T01.82KFI-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JKC10M0
仓库库存编号：
HVCB2010JKC10M0-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2.21M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL2M21
仓库库存编号：
HVCB2010FKL2M21-ND
别名：HVCB 2010 T0 2.21M 1% I
HVCB2010T02.21M1%I
HVCB2010T02.21M1%I-ND
HVCB2010T02.21MFI
HVCB2010T02.21MFI-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL500K
仓库库存编号：
HVCB2010FKL500K-ND
别名：HVCB 2010 T0 500K 1% I
HVCB2010T0500K1%I
HVCB2010T0500K1%I-ND
HVCB2010T0500KFI
HVCB2010T0500KFI-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2.21M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTD2M21
仓库库存编号：
HVCB2010FTD2M21-ND
别名：HVCB 2010 T1 2.21M 1% R
HVCB2010T12.21M1%R
HVCB2010T12.21M1%R-ND
HVCB2010T12.21MFR
HVCB2010T12.21MFR-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTD500K
仓库库存编号：
HVCB2010FTD500K-ND
别名：HVCB 2010 T1 500K 1% R
HVCB2010T1500K1%R
HVCB2010T1500K1%R-ND
HVCB2010T1500KFR
HVCB2010T1500KFR-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 249K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTD249K
仓库库存编号：
HVCB2010FTD249K-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTD2M00
仓库库存编号：
HVCB2010FTD2M00-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
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RES SMD 249K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL249K
仓库库存编号：
HVCB2010FKL249K-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 301K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL301K
仓库库存编号：
HVCB2010FKL301K-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL10M0
仓库库存编号：
HVCB2010FKL10M0-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1G OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JKL1G00
仓库库存编号：
HVCB2010JKL1G00-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
无铅
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RES SMD 500K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKD500K
仓库库存编号：
HVCB2010FKD500K-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTC2M00
仓库库存编号：
HVCB2010FTC2M00-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTC10M0
仓库库存编号：
HVCB2010FTC10M0-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTL500M
仓库库存编号：
HVCB2010FTL500M-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
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RES SMD 25 OHM 2% 10W 2010
详细描述：±2% 10W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 薄膜
型号：
RP42010R0025GTBK-50
仓库库存编号：
RP42010R0025GTBK-50-ND
规格：大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽（5.08mm x 2.54mm）,
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