规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 500V 28A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD
型号：
APT5020BNFR
仓库库存编号：
APT5020BNFR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 500V 27A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD
型号：
APT5022BNG
仓库库存编号：
APT5022BNG-ND
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 500V 23A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
型号：
APT5025BN
仓库库存编号：
APT5025BN-ND
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT58MJ50J
仓库库存编号：
APT58MJ50J-ND
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC24N50Q
仓库库存编号：
IXFC24N50Q-ND
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXTH）
型号：
IXTH21N50Q
仓库库存编号：
IXTH21N50Q-ND
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 26A（Tc） 300W（Tc） TO-268（IXFT）
型号：
IXFT26N50Q TR
仓库库存编号：
IXFT26N50Q TR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
N-CHANNEL ADVANCE QFET C-SERIES
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 2.5W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：
FQD5N50CTM_WS
仓库库存编号：
FQD5N50CTM_WS-ND
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 52W（Tc） ITO-220
型号：
TSM13N50ACI C0G
仓库库存编号：
TSM13N50ACI C0G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 52W（Tc） TO-220
型号：
TSM13N50ACZ C0G
仓库库存编号：
TSM13N50ACZ C0G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 5.6A（Ta） 90W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM6N50CH C5G
仓库库存编号：
TSM6N50CH C5G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5.6A（Ta） 90W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM6N50CP ROG
仓库库存编号：
TSM6N50CP ROGTR-ND
别名：TSM6N50CP ROGTR
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5.6A（Ta） 90W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM6N50CP ROG
仓库库存编号：
TSM6N50CP ROGCT-ND
别名：TSM6N50CP ROGCT
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5.6A（Ta） 90W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM6N50CP ROG
仓库库存编号：
TSM6N50CP ROGDKR-ND
别名：TSM6N50CP ROGDKR
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 7.2A（Tc） 89W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM8N50CH C5G
仓库库存编号：
TSM8N50CH C5G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 7.2A（Tc） 89W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM8N50CP ROG
仓库库存编号：
TSM8N50CP ROGTR-ND
别名：TSM8N50CP ROGTR
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 7.2A（Tc） 89W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM8N50CP ROG
仓库库存编号：
TSM8N50CP ROGCT-ND
别名：TSM8N50CP ROGCT
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 7.2A（Tc） 89W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM8N50CP ROG
仓库库存编号：
TSM8N50CP ROGDKR-ND
别名：TSM8N50CP ROGDKR
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 19A TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 19A（Tc） 250W（Tc） TO-254AA
型号：
IRFM460
仓库库存编号：
IRFM460-ND
别名：Q1134250
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 150W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
IRF450
仓库库存编号：
IRF450-ND
别名：*IRF450
Q2009037
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP299 E6327
仓库库存编号：
BSP299 E6327-ND
别名：BSP299E6327T
SP000011110
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 114W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R250CPHKSA1
仓库库存编号：
IPP50R250CPHKSA1-ND
别名：IPP50R250CP
IPP50R250CP-ND
SP000236071
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP299L6327HUSA1
仓库库存编号：
BSP299L6327HUSA1CT-ND
别名：BSP299 L6327CT
BSP299 L6327CT-ND
BSP299L6327
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 25.7W（Tc） PG-TO220FP
型号：
IPA50R950CE
仓库库存编号：
IPA50R950CEIN-ND
别名：IPA50R950CEIN
IPA50R950CEXKSA1
SP000939328
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 34W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R950CEBTMA1
仓库库存编号：
IPD50R950CEBTMA1CT-ND
别名：IPD50R950CEBTMA1CT
IPD50R950CEIN
IPD50R950CEIN-ND
IPD50R950CEINCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 500V,
无铅
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