规格:漏源电压(Vdss) 500V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1389)
分立半导体产品
(1389)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(49)
Fairchild/Micross Components(126)
Fairchild/ON Semiconductor(17)
Global Power Technologies Group(35)
Infineon Technologies(79)
IXYS(329)
Kionix Inc.(7)
Microchip Technology(19)
Microsemi Corporation(129)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(21)
ON Semiconductor(103)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic Electronic Components(1)
Renesas Electronics America(23)
Rohm Semiconductor(24)
Sanken(5)
STMicroelectronics(163)
Taiwan Semiconductor Corporation(19)
Toshiba Semiconductor and Storage(25)
Vishay BC Components(53)
Vishay Beyschlag(77)
Vishay Electro-Films(32)
Vishay Huntington Electric Inc.(11)
Vishay Semiconductor Diodes Division(4)
Vishay Semiconductor Opto Division(3)
Vishay Sfernice(16)
Vishay Siliconix(16)
Vishay Spectrol(1)
Vishay Sprague(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 14A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF14N50FD
仓库库存编号:
AOTF14N50FD-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-252AA
型号:
SIHD5N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHD5N50D-GE3TR-ND
别名:SIHD5N50D-GE3TR
SIHD5N50DGE3
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2A TP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2A(Ta) 1W(Ta),20W(Tc) TP
型号:
SFT1423-E
仓库库存编号:
SFT1423-E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 12A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK5012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK5012DPE-00#J3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12A(Ta) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK5012DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK5012DPP-E0#T2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 14A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 14A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK5013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK5013DPE-00#J3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 14A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Ta) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK5013DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK5013DPP-E0#T2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 19A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 19A(Ta) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK5014DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK5014DPP-E0#T2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 35A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJK5018DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK5018DPK-00#T0-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 40A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJK5020DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK5020DPK-00#T0-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 6A(Ta) 28.5W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK5026DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK5026DPP-E0#T2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 6A(Ta) 28.5W(Tc) TO-220FL
型号:
RJK5026DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJK5026DPP-M0#T2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5A(Ta) 41.7W(Tc) MP-3A
型号:
RJK5030DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK5030DPD-00#J2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 3A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 3A(Ta) 40.3W(Tc) MP-3A
型号:
RJK5031DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK5031DPD-00#J2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 10A(Ta) 29.5W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK5035DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK5035DPP-E0#T2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 12A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJL5012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJL5012DPE-00#J3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12A(Ta) 30W(Tc) TO-220FL
型号:
RJL5012DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJL5012DPP-M0#T2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 19A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 19A(Ta) 150W(Tc) TO-3P
型号:
RJL5014DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJL5014DPK-00#T0-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 38A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 38A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJL5020DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJL5020DPK-00#T0-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 20A(Tc) 290W(Tc) D3Pak
型号:
APT20F50S
仓库库存编号:
APT20F50S-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 24A(Tc) 335W(Tc) D3Pak
型号:
APT24F50S
仓库库存编号:
APT24F50S-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 35A(Tc) 403W(Tc) TO-247
型号:
APT5014SLLG/TR
仓库库存编号:
APT5014SLLG/TR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA(TO-3)
型号:
JAN2N6762
仓库库存编号:
JAN2N6762-ND
别名:JAN2N6762-MIL
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12A(Tc) 4W(Ta),150W(Tc) TO-204AE(TO-3)
型号:
JAN2N6770
仓库库存编号:
JAN2N6770-ND
别名:JAN2N6770-MIL
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12A(Tc) 4W(Ta),150W(Tc) TO-254AA
型号:
JAN2N6770T1
仓库库存编号:
JAN2N6770T1-ND
别名:JAN2N6770T1-MIL
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
含铅
搜索
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号