规格:漏源电压(Vdss) 500V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP12N50PM
仓库库存编号:
IXTP12N50PM-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF830A
仓库库存编号:
IRF830A-ND
别名:*IRF830A
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 180W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA8N50P3
仓库库存编号:
IXFA8N50P3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta) 100W(Tc) LPTS
型号:
R5016ANJTL
仓库库存编号:
R5016ANJTL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 200W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA12N50P
仓库库存编号:
IXFA12N50P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP12N50P
仓库库存编号:
IXTP12N50P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 278W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG460B-GE3
仓库库存编号:
SIHG460B-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK13A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK13A50D(STA4QM)-ND
别名:TK13A50D(STA4QM)
TK13A50DSTA4QM
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
UNIFET N-CHANNEL 500V MOSFET LDT
详细描述:通孔 N 沟道 16.5A(Tc) 205W(Tc) TO-3
型号:
FDA16N50LDTU
仓库库存编号:
FDA16N50LDTU-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 380W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA20N50P3
仓库库存编号:
IXFA20N50P3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 208W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB12N50C-E3
仓库库存编号:
SIHB12N50C-E3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 36W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF12N50C-E3
仓库库存编号:
SIHF12N50C-E3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA16N50P
仓库库存编号:
IXTA16N50P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 280W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA20N50_F109
仓库库存编号:
FDA20N50_F109-ND
别名:FDA20N50
FDA20N50-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG16N50C-E3
仓库库存编号:
SIHG16N50C-E3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 100W(Tc) LPTS
型号:
R5021ANJTL
仓库库存编号:
R5021ANJTL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP460P2
仓库库存编号:
IXTP460P2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA16N50P
仓库库存编号:
IXFA16N50P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK18A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK18A50D(STA4QM)-ND
别名:TK18A50D(STA4QM)
TK18A50DSTA4QM
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ16N50P
仓库库存编号:
IXTQ16N50P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP16N50C-E3
仓库库存编号:
SIHP16N50C-E3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R5016ANX
仓库库存编号:
R5016ANX-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 330W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA16N50P3
仓库库存编号:
IXFA16N50P3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 2.1A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI820G
仓库库存编号:
IRFI820G-ND
别名:*IRFI820G
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
含铅
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MOSFET N-CHANNEL 500V
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 280W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHFB20N50K-E3
仓库库存编号:
SIHFB20N50K-E3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 500V,
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