规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 2A（Tc） 65W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM2NB65CP ROG
仓库库存编号：
TSM2NB65CP ROGCT-ND
别名：TSM2NB65CP ROGCT
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 2A（Tc） 65W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM2NB65CP ROG
仓库库存编号：
TSM2NB65CP ROGDKR-ND
别名：TSM2NB65CP ROGDKR
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 40W（Tc） ITO-220
型号：
TSM7N65ACI C0G
仓库库存编号：
TSM7N65ACI C0G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP07N60S5
仓库库存编号：
SPP07N60S5IN-ND
别名：SPP07N60S5BKSA1
SPP07N60S5IN
SPP07N60S5X
SPP07N60S5XTIN
SPP07N60S5XTIN-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP11N60S5HKSA1
仓库库存编号：
SPP11N60S5HKSA1-ND
别名：SPP11N60S5
SPP11N60S5IN
SPP11N60S5IN-ND
SPP11N60S5X
SPP11N60S5XTIN
SPP11N60S5XTIN-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP20N60S5
仓库库存编号：
SPP20N60S5IN-ND
别名：SPP20N60S5BKSA1
SPP20N60S5IN
SPP20N60S5X
SPP20N60S5XTIN
SPP20N60S5XTIN-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
型号：
SPA11N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA11N60C3IN-ND
别名：SP000013664
SPA11N60C3
SPA11N60C3IN
SPA11N60C3X
SPA11N60C3XTIN
SPA11N60C3XTIN-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 34.5W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA20N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA20N60C3IN-ND
别名：SP000013659
SPA20N60C3
SPA20N60C3IN
SPA20N60C3X
SPA20N60C3XTIN
SPA20N60C3XTIN-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP02N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP02N60C3HKSA1-ND
别名：SP000013523
SPP02N60C3
SPP02N60C3IN
SPP02N60C3IN-ND
SPP02N60C3X
SPP02N60C3XK
SPP02N60C3XTIN
SPP02N60C3XTIN-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP03N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP03N60C3HKSA1-ND
别名：SP000013524
SPP03N60C3
SPP03N60C3IN
SPP03N60C3IN-ND
SPP03N60C3X
SPP03N60C3X-ND
SPP03N60C3XK
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI07N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPI07N60C3HKSA1-ND
别名：SP000013521
SPI07N60C3
SPI07N60C3IN
SPI07N60C3IN-ND
SPI07N60C3X
SPI07N60C3X-ND
SPI07N60C3XK
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP04N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP04N60C3HKSA1-ND
别名：SPP04N60C3
SPP04N60C3IN
SPP04N60C3IN-ND
SPP04N60C3X
SPP04N60C3XK
SPP04N60C3XTIN
SPP04N60C3XTIN-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB02N60C3ATMA1
仓库库存编号：
SPB02N60C3ATMA1TR-ND
别名：SP000013516
SPB02N60C3
SPB02N60C3INTR
SPB02N60C3INTR-ND
SPB02N60C3XT
SPB02N60C3XT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB03N60C3ATMA1
仓库库存编号：
SPB03N60C3ATMA1CT-ND
别名：SPB03N60C3INCT
SPB03N60C3INCT-ND
SPB03N60C3XTINCT
SPB03N60C3XTINCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD02N60C3BTMA1
仓库库存编号：
SPD02N60C3BTMA1CT-ND
别名：SPD02N60C3INCT
SPD02N60C3INCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04N60C3BTMA1
仓库库存编号：
SPD04N60C3BTMA1CT-ND
别名：SPD04N60C3INCT
SPD04N60C3INCT-ND
SPD04N60C3XTINCT
SPD04N60C3XTINCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD07N60C3BTMA1
仓库库存编号：
SPD07N60C3BTMA1CT-ND
别名：SPD07N60C3INCT
SPD07N60C3INCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD07N60C3T
仓库库存编号：
SPD07N60C3XTINCT-ND
别名：SPD07N60C3XTINCT
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI07N65C3HKSA1
仓库库存编号：
SPI07N65C3HKSA1-ND
别名：SP000014632
SP000680982
SPI07N65C3
SPI07N65C3-ND
SPI07N65C3IN
SPI07N65C3IN-ND
SPI07N65C3X
SPI07N65C3XK
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI15N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPI15N60C3HKSA1-ND
别名：SP000014528
SP000680998
SPI15N60C3
SPI15N60C3-ND
SPI15N60C3IN
SPI15N60C3IN-ND
SPI15N60C3X
SPI15N60C3XK
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI20N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI20N65C3XKSA1-ND
别名：SP000014525
SP000681010
SPI20N65C3
SPI20N65C3-ND
SPI20N65C3IN
SPI20N65C3IN-ND
SPI20N65C3X
SPI20N65C3XK
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 300mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN01N60C3
仓库库存编号：
SPN01N60C3-ND
别名：SP000012411
SPN01N60C3T
SPN01N60C3XT
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN02N60C3
仓库库存编号：
SPN02N60C3-ND
别名：SP000101878
SPN02N60C3XT
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN02N60C3 E6433
仓库库存编号：
SPN02N60C3 E6433-ND
别名：SP000101883
SPN02N60C3E6433XT
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 700mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN03N60C3
仓库库存编号：
SPN03N60C3-ND
别名：SP000014455
SP000101879
SPN03N60C3T
SPN03N60C3XT
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
含铅
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