规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 21A（Tc） 128W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R099C7AUMA1
仓库库存编号：
IPL65R099C7AUMA1-ND
别名：SP001032722
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 24A（Tc） 128W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R095C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R095C7ATMA1-ND
别名：SP001080124
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 24.3A（Tc） 240W（Tc） TO-220-3
型号：
SPP24N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP24N60C3XKSA1-ND
别名：SP000681068
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R190CFDAFKSA1
仓库库存编号：
IPW65R190CFDAFKSA1-ND
别名：SP000928268
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R110CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R110CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R110CFD
IPI65R110CFD-ND
SP000896398
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 34.7W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R110CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPA65R110CFDXKSA1-ND
别名：IPA65R110CFD
IPA65R110CFD-ND
SP000895230
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R110CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPB65R110CFDAATMA1-ND
别名：SP000896402
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 29A（Tc） 167W（Tc） PG-HSOF-8
型号：
IPT60R080G7XTMA1
仓库库存编号：
IPT60R080G7XTMA1-ND
别名：SP001615904
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA65R095C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R095C7XKSA1-ND
别名：SP001080126
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 24A（Tc） 128W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R095C7XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R095C7XKSA1-ND
别名：SP001080122
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 18A（Tc） 101W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R125C7XKSA1
仓库库存编号：
IPW65R125C7XKSA1-ND
别名：SP001080138
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW20N60CFDFKSA1
仓库库存编号：
SPW20N60CFDFKSA1-ND
别名：SP000014535
SPW20N60CFD
SPW20N60CFD-ND
SPW20N60CFDIN
SPW20N60CFDIN-ND
SPW20N60CFDX
SPW20N60CFDXK
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R150CFDAFKSA1
仓库库存编号：
IPW65R150CFDAFKSA1-ND
别名：SP000928274
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 35A（Tc） 162W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB60R060C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R060C7ATMA1-ND
别名：SP001385008
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 21.7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 21.7A（Tc） 240W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW24N60CFDFKSA1
仓库库存编号：
SPW24N60CFDFKSA1-ND
别名：SP000264428
SPW24N60CFD
SPW24N60CFD-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247-4
详细描述：通孔 N 沟道 650V 24A（Tc） 128W（Tc） PG-TO247-4
型号：
IPZ65R095C7XKSA1
仓库库存编号：
IPZ65R095C7XKSA1-ND
别名：SP001080130
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA65R065C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R065C7XKSA1-ND
别名：SP001080114
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R065C7XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R065C7XKSA1-ND
别名：SP001080100
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R110CFDAFKSA1
仓库库存编号：
IPW65R110CFDAFKSA1-ND
别名：SP000895236
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 44A（Tc） 245W（Tc） PG-HSOF-8
型号：
IPT60R050G7XTMA1
仓库库存编号：
IPT60R050G7XTMA1-ND
别名：SP001615912
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-247-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R065C7XKSA1
仓库库存编号：
IPW65R065C7XKSA1-ND
别名：SP001080116
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247-4
详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO247-4
型号：
IPZ65R065C7XKSA1
仓库库存编号：
IPZ65R065C7XKSA1-ND
别名：SP001080120
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB60R040C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R040C7ATMA1-ND
别名：SP001277610
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 18A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA65R045C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R045C7XKSA1-ND
别名：SP001080092
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 75A HSOF-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 75A（Tc） 391W（Tc） PG-HSOF-8
型号：
IPT60R028G7XTMA1
仓库库存编号：
IPT60R028G7XTMA1-ND
别名：SP001579312
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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