规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R310CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPB65R310CFDAATMA1-ND
别名：SP000879440
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220FP
型号：
SPA07N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA07N65C3XKSA1-ND
别名：SP000216305
SPA07N65C3
SPA07N65C3IN
SPA07N65C3IN-ND
SPA07N65C3XK
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB60R180C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R180C7ATMA1-ND
别名：SP001296224
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R280E6
仓库库存编号：
IPP65R280E6-ND
别名：IPP65R280E6XKSA1
SP000795268
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R280C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R280C6XKSA1-ND
别名：IPP65R280C6
IPP65R280C6-ND
SP000785058
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI65R280E6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R280E6XKSA1-ND
别名：SP000795270
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 32W（Tc） TO-220 整包
型号：
IPA65R280C6XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R280C6XKSA1-ND
别名：IPA65R280C6
IPA65R280C6-ND
SP000720898
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 16.6A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R210CFDAUMA1
仓库库存编号：
IPL65R210CFDAUMA1-ND
别名：SP000949256
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R280C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R280C6XKSA1-ND
别名：IPI65R280C6
IPI65R280C6-ND
SP000785056
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 12A（Tc） 75W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R195C7AUMA1
仓库库存编号：
IPL65R195C7AUMA1-ND
别名：SP001032726
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13A（Tc） 72W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R190C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R190C7ATMA1-ND
别名：SP000929424
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R190E6AUMA1
仓库库存编号：
IPL65R190E6AUMA1-ND
别名：SP001074938
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R190C6ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R190C6ATMA1CT-ND
别名：IPB65R190C6CT
IPB65R190C6CT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA65R225C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R225C7XKSA1-ND
别名：SP001080144
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI11N65C3XKSA1-ND
别名：SP000680994
SPI11N65C3
SPI11N65C3-ND
SPI11N65C3IN
SPI11N65C3IN-ND
SPI11N65C3X
SPI11N65C3XK
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP11N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP11N65C3XKSA1-ND
别名：SP000681046
SPP11N65C3
SPP11N65C3-ND
SPP11N65C3BKSA1
SPP11N65C3IN
SPP11N65C3IN-ND
SPP11N65C3X
SPP11N65C3XK
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 33W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R250CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R250CPXKSA1-ND
别名：IPA60R250CP
IPA60R250CP-ND
SP000310226
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI11N60C3XKSA1-ND
别名：SP000680986
SPI11N60C3
SPI11N60C3BKSA1
SPI11N60C3IN
SPI11N60C3IN-ND
SPI11N60C3X
SPI11N60C3X-ND
SPI11N60C3XK
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R310CFDAAKSA1
仓库库存编号：
IPP65R310CFDAAKSA1-ND
别名：SP000879438
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R190CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R190CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R190CFD
IPI65R190CFD-ND
SP000905386
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R190C6XKSA1-ND
别名：IPA65R190C6
IPA65R190C6-ND
SP000863892
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R190E6XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R190E6XKSA1-ND
别名：IPA65R190E6
IPA65R190E6-ND
SP000863904
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R190C6XKSA1-ND
别名：IPI65R190C6
IPI65R190C6-ND
SP000863900
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP06N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP06N60C3HKSA1-ND
别名：SP000014697
SPP06N60C3
SPP06N60C3-ND
SPP06N60C3IN
SPP06N60C3IN-ND
SPP06N60C3X
SPP06N60C3XK
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 21.3A（Tc） 195W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R165CFDAUMA1
仓库库存编号：
IPL65R165CFDAUMA1-ND
别名：SP000949254
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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