规格：漏源电压（Vdss） 650V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(875)
分立半导体产品
(875)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(41)
Central Semiconductor Corp(3)
Diodes Incorporated(9)
Fairchild/Micross Components(20)
Fairchild/ON Semiconductor(1)
GeneSiC Semiconductor(6)
Global Power Technologies Group(16)
Infineon Technologies(304)
IXYS(49)
Kionix Inc.(4)
Microchip Technology(1)
Microsemi Corporation(3)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(1)
ON Semiconductor(19)
Rohm Semiconductor(2)
STMicroelectronics(263)
Taiwan Semiconductor Corporation(12)
Toshiba Semiconductor and Storage(46)
Transphorm(12)
Vishay BC Components(7)
Vishay Beyschlag(27)
Vishay Electro-Films(11)
Vishay Huntington Electric Inc.(4)
Vishay Semiconductor Diodes Division(3)
Vishay Sfernice(3)
Vishay Siliconix(7)
Vishay Thin Film(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R600C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R600C6XKSA1-ND
别名：IPP65R600C6
IPP65R600C6-ND
SP000661310
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6A（Tc） 27.8W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R660CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPA65R660CFDXKSA1-ND
别名：IPA65R660CFD
IPA65R660CFD-ND
SP000838284
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R660CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R660CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R660CFD
IPI65R660CFD-ND
SP000861696
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R660CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPP65R660CFDXKSA1-ND
别名：IPP65R660CFD
IPP65R660CFD-ND
SP000745026
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R380C6ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R380C6ATMA1CT-ND
别名：IPB65R380C6CT
IPB65R380C6CT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R660CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPB65R660CFDAATMA1-ND
别名：SP000875794
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 31.2W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R420CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPA65R420CFDXKSA1-ND
别名：IPA65R420CFD
IPA65R420CFD-ND
SP000890322
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R420CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R420CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R420CFD
IPI65R420CFD-ND
SP000891702
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R420CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPP65R420CFDXKSA1-ND
别名：IPP65R420CFD
IPP65R420CFD-ND
SP000876824
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.2A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA06N60C3
仓库库存编号：
SPA06N60C3IN-ND
别名：SP000216301
SPA06N60C3IN
SPA06N60C3XK
SPA06N60C3XKSA1
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R420CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPD65R420CFDAATMA1-ND
别名：SP000928262
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.9A（Tc） 104.2W（Tc） Thin-Pak（8x8）
型号：
IPL65R340CFDAUMA1
仓库库存编号：
IPL65R340CFDAUMA1-ND
别名：SP000949258
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R380C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R380C6XKSA1-ND
别名：IPP65R380C6
IPP65R380C6-ND
SP000785082
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R380C6XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R380C6XKSA1-ND
别名：IPA65R380C6
IPA65R380C6-ND
SP000720896
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13.1A（Tc） 104W（Tc） Thin-Pak（8x8）
型号：
IPL65R310E6AUMA1
仓库库存编号：
IPL65R310E6AUMA1-ND
别名：SP000895216
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R380C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R380C6XKSA1-ND
别名：IPI65R380C6
IPI65R380C6-ND
SP000785080
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R280E6ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R280E6ATMA1-ND
别名：SP000795274
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R660CFDAAKSA1
仓库库存编号：
IPP65R660CFDAAKSA1-ND
别名：SP000875802
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP07N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP07N60C3XKSA1-ND
别名：SP000681030
SPP07N60C3
SPP07N60C3IN
SPP07N60C3IN-ND
SPP07N60C3X
SPP07N60C3XK
SPP07N60C3XTIN
SPP07N60C3XTIN-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R280C6ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R280C6ATMA1CT-ND
别名：IPB65R280C6CT
IPB65R280C6CT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 650V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R385CPXKSA1
仓库库存编号：
IPI60R385CPXKSA1-ND
别名：IPI60R385CP
IPI60R385CP-ND
IPI60R385CPAKSA1
IPI60R385CPX
IPI60R385CPXK
SP000103250
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R385CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP60R385CPXKSA1-ND
别名：IPP60R385CP
IPP60R385CP-ND
IPP60R385CPAKSA1
IPP60R385CPX
IPP60R385CPXK
SP000082281
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.6A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA07N60CFDXKSA1
仓库库存编号：
SPA07N60CFDXKSA1-ND
别名：SP000264431
SPA07N60CFD
SPA07N60CFD-ND
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R310CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPA65R310CFDXKSA1-ND
别名：IPA65R310CFD
IPA65R310CFD-ND
SP000890320
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R310CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R310CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R310CFD
IPI65R310CFD-ND
SP000891700
规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
搜索
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
