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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB24N65ET5-GE3
  仓库库存编号：SIHB24N65ET5-GE3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG24N65E-E3
  仓库库存编号：SIHG24N65E-E3-ND
  别名：SIHG24N65EE3
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 25A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R125CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI60R125CPXKSA1-ND
  别名：IPI60R125CP
  IPI60R125CP-ND
  SP000297355
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 44A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 312W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP067N65S3
  仓库库存编号：FCP067N65S3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 35A（Ta） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：TK35N65W5,S1F
  仓库库存编号：TK35N65W5S1F-ND
  别名：TK35N65W5,S1F(S
  TK35N65W5,S1F-ND
  TK35N65W5S1F
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 64A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG64N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHG64N65E-GE3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT47N65BC3G
  仓库库存编号：APT47N65BC3G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 650V 97A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 97A（Tc） 862W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT97N65LC6
  仓库库存编号：APT97N65LC6-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 650V 94A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 94A（Tc） 833W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT94N65B2C3G
  仓库库存编号：APT94N65B2C3G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 650V 4A TO276
  详细描述：表面贴装 650V 4A（Tc）（165°C） 125W（Tc） TO-276
  
  型号：2N7636-GA
  仓库库存编号：1242-1147-ND
  别名：1242-1147
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 650V 4A TO-257
  详细描述：通孔 650V 4A（Tc）（165°C） 47W（Tc） TO-257
  
  型号：2N7635-GA
  仓库库存编号：1242-1146-ND
  别名：1242-1146
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 650V 8A TO276
  详细描述：表面贴装 650V 8A（Tc）（158°C） 200W（Tc） TO-276
  
  型号：2N7638-GA
  仓库库存编号：1242-1149-ND
  别名：1242-1149
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 650V 7A TO-257
  详细描述：通孔 650V 7A（Tc）（165°C） 80W（Tc） TO-257
  
  型号：2N7637-GA
  仓库库存编号：1242-1148-ND
  别名：1242-1148
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 650V 16A TO276
  详细描述：表面贴装 650V 16A（Tc）（155°C） 330W（Tc） TO-276
  
  型号：2N7640-GA
  仓库库存编号：1242-1151-ND
  别名：1242-1151
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 650V 15A TO-257
  详细描述：通孔 650V 15A（Tc）（155°C） 172W（Tc） TO-257
  
  型号：2N7639-GA
  仓库库存编号：1242-1150-ND
  别名：1242-1150
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 2.6A（Tc） 29W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R3K4CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R3K4CEAUMA1-ND
  别名：SP001422856
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.2A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R1K0CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD65R1K0CEAUMA1-ND
  别名：SP001421368
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-251
  
  型号：IPS65R1K0CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS65R1K0CEAKMA1-ND
  别名：SP001276048
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 86W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R650CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD65R650CEAUMA1-ND
  别名：SP001396908
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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  MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.1A（Tc） 86W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R650CEATMA1
  仓库库存编号：IPD65R650CEATMA1-ND
  别名：SP001295798
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 28W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R1K4C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R1K4C6ATMA1-ND
  别名：SP001107078
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 15.1A (Tc） 118W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R400CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD65R400CEAUMA1-ND
  别名：SP001466800
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 2.8A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R1K4CFDATMA1
  仓库库存编号：IPD65R1K4CFDATMA1-ND
  别名：SP001117732
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.2A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R1K5CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R1K5CEXKSA1-ND
  别名：SP001429484
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 3A（Tc） 26.6W（Tc） Thin-PAK（5x6）
  
  型号：IPL65R1K5C6SATMA1
  仓库库存编号：IPL65R1K5C6SATMA1-ND
  别名：SP001163086
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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