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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP11N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP11N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000681040
  SPP11N60C3
  SPP11N60C3BKSA1
  SPP11N60C3IN
  SPP11N60C3IN-ND
  SPP11N60C3X
  SPP11N60C3XIN
  SPP11N60C3XIN-ND
  SPP11N60C3XK
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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  无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 13.7A（Ta） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：TK14E65W,S1X
  仓库库存编号：TK14E65WS1X-ND
  别名：TK14E65W,S1X(S
  TK14E65W,S1X-ND
  TK14E65WS1X
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI33N65M2
  仓库库存编号：497-15551-5-ND
  别名：497-15551-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24.3A（Tc） 240W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW24N60C3
  仓库库存编号：SPW24N60C3IN-ND
  别名：SP000014695
  SPW24N60C3-ND
  SPW24N60C3FKSA1
  SPW24N60C3IN
  SPW24N60C3X
  SPW24N60C3XK
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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  无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 8.35W（Ta） ITO-220AB
  
  型号：DMG4N65CTI
  仓库库存编号：DMG4N65CTIDI-ND
  别名：DMG4N65CTIDI
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 28W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA65R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001295804
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB6N65E-GE3CT-ND
  别名：SIHB6N65E-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 2.19W（Ta） TO-220-3
  
  型号：DMG4N65CT
  仓库库存编号：DMG4N65CTDI-ND
  别名：DMG4N65CTDI
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 13W（Tc） ITO-220AB
  
  型号：DMG9N65CTI
  仓库库存编号：DMG9N65CTIDI-ND
  别名：DMG9N65CTIDI
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 55W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY2N65X2
  仓库库存编号：IXTY2N65X2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP8N65X2
  仓库库存编号：IXTP8N65X2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 80W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY4N65X2
  仓库库存编号：IXTY4N65X2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 55W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP2N65X2
  仓库库存编号：IXTP2N65X2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP12N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHP12N65E-GE3-ND
  别名：SIHP12N65E-GE3CT
  SIHP12N65E-GE3CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHF6N65E-GE3-ND
  别名：SIHF6N65E-GE3CT
  SIHF6N65E-GE3CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF8N65M5
  仓库库存编号：497-11398-5-ND
  别名：497-11398-5
  STF8N65M5-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 34W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF15N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHF15N65E-GE3-ND
  别名：SIHF15N65E-GE3CT
  SIHF15N65E-GE3CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FK
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF22N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHF22N65E-GE3-ND
  别名：SIHF22N65E-GE3CT
  SIHF22N65E-GE3CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG22N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHG22N65E-GE3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP24N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHP24N65E-GE3-ND
  别名：SIHP24N65E-GE3CT
  SIHP24N65E-GE3CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 32A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ32N65X
  仓库库存编号：IXTQ32N65X-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG24N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHG24N65E-GE3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 320W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP20N65X
  仓库库存编号：IXTP20N65X-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 52A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 660W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH52N65X
  仓库库存编号：IXTH52N65X-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 650 V, 0.014 OHM TYP.,
  详细描述：底座安装 N 沟道 130A（Tc） 672W（Tc） ISOTOP
  
  型号：STE139N65M5
  仓库库存编号：497-16942-ND
  别名：497-16942
  
  规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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