规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 8A 800V TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 57W（Tc） TO-220FP
型号：
CDM2208-800FP SL
仓库库存编号：
CDM2208-800FP SL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF6N80K5
仓库库存编号：
497-15014-5-ND
别名：497-15014-5
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBE30LPBF
仓库库存编号：
IRFBE30LPBF-ND
别名：*IRFBE30LPBF
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Ta） 110W（Tc） TO-220
型号：
TK7E80W,S1X
仓库库存编号：
TK7E80WS1X-ND
别名：TK7E80W,S1X(S
TK7E80WS1X
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT11N80BC3G
仓库库存编号：
APT11N80BC3G-ND
别名：APT11N80BC3GMI
APT11N80BC3GMI-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF18NM80
仓库库存编号：
497-13081-5-ND
别名：497-13081-5
STF18NM80-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 41A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 41A（Tc） 1040W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT38F80L
仓库库存编号：
APT38F80L-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Tc） 96W（Tc） DPAK
型号：
NDD03N80ZT4G
仓库库存编号：
NDD03N80ZT4GOSCT-ND
别名：NDD03N80ZT4GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 85W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP2N80
仓库库存编号：
FQP2N80-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 3.9A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA80R1K4CEXKSA2
仓库库存编号：
IPA80R1K4CEXKSA2-ND
别名：SP001313390
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 1.6A（Tc） 19.2W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF4300N80Z
仓库库存编号：
FCPF4300N80Z-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS80R1K4P7AKMA1
仓库库存编号：
IPS80R1K4P7AKMA1-ND
别名：SP001422736
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU80R1K4P7AKMA1
仓库库存编号：
IPU80R1K4P7AKMA1-ND
别名：SP001422742
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 51W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF6N80CT
仓库库存编号：
FQPF6N80CT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 5.7A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA80R1K0CEXKSA2
仓库库存编号：
IPA80R1K0CEXKSA2-ND
别名：SP001313392
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP80R1K4P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP80R1K4P7XKSA1-ND
别名：SP001422718
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 24W（Tc） TO-220-3F
型号：
IPA80R1K4P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA80R1K4P7XKSA1-ND
别名：SP001422546
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF7N80C
仓库库存编号：
FQPF7N80C-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 2.6A（Tc） 21.9W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF2250N80Z
仓库库存编号：
FCPF2250N80Z-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 52W（Tc） DPAK
型号：
FCD1300N80Z
仓库库存编号：
FCD1300N80ZCT-ND
别名：FCD1300N80ZCT
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 60W（Tc） D2PAK
型号：
STB5N80K5
仓库库存编号：
497-16923-1-ND
别名：497-16923-1
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 1.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
型号：
FQPF2N80YDTU
仓库库存编号：
FQPF2N80YDTU-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 42W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL7LN80K5
仓库库存编号：
497-16496-1-ND
别名：497-16496-1
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 28.4W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF850N80Z
仓库库存编号：
FCPF850N80Z-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 3.9A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） I2PAK
型号：
FQI4N80TU
仓库库存编号：
FQI4N80TU-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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