以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Tc） 3.13W（Ta），158W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N80TM
  仓库库存编号：FQB6N80TMCT-ND
  别名：FQB6N80TMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 51W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N80T
  仓库库存编号：FQPF6N80TFS-ND
  别名：FQPF6N80T-ND
  FQPF6N80TFS
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 35.7W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF400N80ZL1
  仓库库存编号：FCPF400N80ZL1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 4.5A 8PWRFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 42W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL8N80K5
  仓库库存编号：497-13778-1-ND
  别名：497-13778-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 101W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP80R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP80R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001422724
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：IPA80R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001422552
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 14A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 195W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP400N80Z
  仓库库存编号：FCP400N80Z-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 212W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB290N80
  仓库库存编号：FCB290N80CT-ND
  别名：FCB290N80CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 101W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IPW80R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW80R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001422758
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 17A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 40W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF290N80
  仓库库存编号：FCPF290N80-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB13N80K5
  仓库库存编号：497-13860-1-ND
  别名：497-13860-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF13N80
  仓库库存编号：FQAF13N80-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB15N80K5
  仓库库存编号：497-13423-1-ND
  别名：497-13423-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 23A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF220N80
  仓库库存编号：FCPF220N80-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 17A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 212W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP290N80
  仓库库存编号：FCP290N80-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 23A
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP220N80
  仓库库存编号：FCP220N80-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.5A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB25N80K5
  仓库库存编号：497-13640-1-ND
  别名：497-13640-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 46A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 446W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH085N80_F155
  仓库库存编号：FCH085N80_F155-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 56A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 500W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：FCH060N80_F155
  仓库库存编号：FCH060N80_F155-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP300H6327XUSA1
  仓库库存编号：BSP300H6327XUSA1CT-ND
  别名：BSP300H6327XUSA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 101W（Tc） TO-252
  
  型号：IPD80R280P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R280P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R280P7ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 227W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB17N80C3
  仓库库存编号：SPB17N80C3INCT-ND
  别名：SPB17N80C3INCT
  SPB17N80C3XTINCT
  SPB17N80C3XTINCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW18NM80
  仓库库存编号：497-10085-5-ND
  别名：497-10085-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH13N80
  仓库库存编号：IXFH13N80-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 27A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN27N80
  仓库库存编号：IXFN27N80-ND
  别名：468185
  Q1653251
  
  规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索