规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 110W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM80N1R2CH C5G
仓库库存编号：
TSM80N1R2CH C5G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
型号：
STB14N80K5
仓库库存编号：
STB14N80K5-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 14A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 170W（Tc） TO-220
型号：
STP17N80K5
仓库库存编号：
STP17N80K5-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
STP12NK80Z
仓库库存编号：
497-6737-5-ND
别名：497-6737-5
STP12NK80Z-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 38.7W（Tc） ITO-220
型号：
TSM4N80CI C0G
仓库库存编号：
TSM4N80CI C0G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF17N80K5
仓库库存编号：
STF17N80K5-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
STB17N80K5
仓库库存编号：
STB17N80K5-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF15N80K5
仓库库存编号：
497-13437-ND
别名：497-13437
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP9NK80Z
仓库库存编号：
497-5133-5-ND
别名：497-5133-5
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 40.3W（Tc） TO-220
型号：
TSM8N80CZ C0G
仓库库存编号：
TSM8N80CZ C0G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 40.3W（Tc） ITO-220
型号：
TSM8N80CI C0G
仓库库存编号：
TSM8N80CI C0G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 48W（Tc） TO-220
型号：
TSM10N80CZ C0G
仓库库存编号：
TSM10N80CZ C0G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 69W（Tc） ITO-220S
型号：
TSM80N400CF C0G
仓库库存编号：
TSM80N400CF C0G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 48W（Tc） ITO-220
型号：
TSM10N80CI C0G
仓库库存编号：
TSM10N80CI C0G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
STB30N80K5
仓库库存编号：
STB30N80K5-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 850V TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 179W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP11N80E-GE3
仓库库存编号：
SIHP11N80E-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 150W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
STI11NM80
仓库库存编号：
497-13106-5-ND
别名：497-13106-5
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 24A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
型号：
STW30N80K5
仓库库存编号：
STW30N80K5-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 850V TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 208W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP17N80E-GE3
仓库库存编号：
SIHP17N80E-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 850V TO-220 FULLPAK
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHA17N80E-E3
仓库库存编号：
SIHA17N80E-E3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 850V TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 208W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG17N80E-GE3
仓库库存编号：
SIHG17N80E-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R2K8CEATMA1
仓库库存编号：
IPD80R2K8CEATMA1CT-ND
别名：IPD80R2K8CEATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 18W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R3K3P7ATMA1
仓库库存编号：
IPD80R3K3P7ATMA1CT-ND
别名：IPD80R3K3P7ATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 22W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R2K4P7ATMA1
仓库库存编号：
IPD80R2K4P7ATMA1CT-ND
别名：IPD80R2K4P7ATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 2.9A（Tc） 96W（Tc） I-Pak
型号：
NDD03N80Z-1G
仓库库存编号：
NDD03N80Z-1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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