规格：漏源电压（Vdss） 550V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK12A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK12A55D(STA4QM)-ND
别名：TK12A55D(STA4QM)
TK12A55DSTA4QM
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 12.5A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 12.5A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK13A55DA(STA4,QM)
仓库库存编号：
TK13A55DA(STA4QM)-ND
别名：TK13A55DA(STA4QM)
TK13A55DASTA4QM
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 14A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK14A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK14A55D(STA4QM)-ND
别名：TK14A55D(STA4QM)
TK14A55DSTA4QM
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 13A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
STB18N55M5
仓库库存编号：
497-11227-1-ND
别名：497-11227-1
497-11227-5
497-11227-5-ND
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 550V 36A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH36N55Q
仓库库存编号：
IXFH36N55Q-ND
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 550V 36A（Tc） 560W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH36N55Q2
仓库库存编号：
IXFH36N55Q2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 550V 44A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX44N55Q
仓库库存编号：
IXFX44N55Q-ND
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 44A 0TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 550V 44A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK44N55Q
仓库库存编号：
IXFK44N55Q-ND
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 550V 48A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
型号：
STE48NM50
仓库库存编号：
497-3170-5-ND
别名：497-3170-5
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 550V 60A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX60N55Q2
仓库库存编号：
IXFX60N55Q2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 60A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 550V 60A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK60N55Q2
仓库库存编号：
IXFK60N55Q2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 550V 72A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB72N55Q2
仓库库存编号：
IXFB72N55Q2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 550V 72A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN72N55Q2
仓库库存编号：
IXFN72N55Q2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 550V 7.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R520CPHKSA1
仓库库存编号：
IPP50R520CPHKSA1-ND
别名：IPP50R520CP
IPP50R520CP-ND
SP000236068
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB50R299CPATMA1
仓库库存编号：
IPB50R299CPATMA1TR-ND
别名：IPB50R299CP
IPB50R299CP-ND
SP000236094
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 550V 10A（Tc） 89W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R350CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP50R350CPXKSA1-ND
别名：IPP50R350CP
IPP50R350CPIN
IPP50R350CPIN-ND
IPP50R350CPXK
SP000680940
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 13A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 13A（Tc） 114W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB50R250CPATMA1
仓库库存编号：
IPB50R250CPATMA1TR-ND
别名：IPB50R250CP
IPB50R250CP-ND
SP000236093
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA50R299CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA50R299CPXKSA1-ND
别名：IPA50R299CP
IPA50R299CP-ND
SP000236079
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R299CPHKSA1
仓库库存编号：
IPP50R299CPHKSA1-ND
别名：SP000236070
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB50R199CPATMA1
仓库库存编号：
IPB50R199CPATMA1TR-ND
别名：IPB50R199CP
IPB50R199CP-ND
SP000236092
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 550V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R199CPHKSA1
仓库库存编号：
IPP50R199CPHKSA1-ND
别名：SP000236074
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 550V 10A（Tc） 89W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R350CPFKSA1
仓库库存编号：
IPW50R350CPFKSA1-ND
别名：IPW50R350CP
IPW50R350CP-ND
SP000301164
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R299CPFKSA1
仓库库存编号：
IPW50R299CPFKSA1-ND
别名：IPW50R299CP
IPW50R299CP-ND
SP000301163
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 17A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 550V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R199CPFKSA1
仓库库存编号：
IPW50R199CPFKSA1-ND
别名：IPW50R199CP
IPW50R199CP-ND
SP000236096
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 550V 23A（Tc） 192W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R140CPHKSA1
仓库库存编号：
IPP50R140CPHKSA1-ND
别名：IPP50R140CP
IPP50R140CP-ND
SP000234986
规格：漏源电压（Vdss） 550V,
无铅
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