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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R750E6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R750E6BTMA1CT-ND
  别名：IPD60R750E6BTMA1CT
  IPD60R750E6CT
  IPD60R750E6CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP125L6433HTMA1
  仓库库存编号：BSP125L6433HTMA1CT-ND
  别名：BSP125 L6433CT
  BSP125 L6433CT-ND
  BSP125L6433
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP135L6433HTMA1
  仓库库存编号：BSP135L6433HTMA1CT-ND
  别名：BSP135 L6433CT
  BSP135 L6433CT-ND
  BSP135L6433
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R520CPATMA1
  仓库库存编号：IPB60R520CPATMA1CT-ND
  别名：IPB60R520CPCT
  IPB60R520CPCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R520C6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R520C6BTMA1CT-ND
  别名：IPD60R520C6BTMA1CT
  IPD60R520C6CT
  IPD60R520C6CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R520CPBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R520CPBTMA1CT-ND
  别名：IPD60R520CPCT
  IPD60R520CPCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600CPBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R600CPBTMA1CT-ND
  别名：IPD60R600CPCT
  IPD60R600CPCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P6
  仓库库存编号：IPD60R600P6CT-ND
  别名：IPD60R600P6CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R2K0C6BKMA1
  仓库库存编号：IPU60R2K0C6BKMA1-ND
  别名：SP000931528
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R950C6BKMA1
  仓库库存编号：IPU60R950C6BKMA1-ND
  别名：SP000931532
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-251
  
  型号：IPU60R1K0CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K0CEBKMA1-ND
  别名：SP001276056
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 28W（Tc） TO-251
  
  型号：IPU60R1K5CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K5CEBKMA1-ND
  别名：SP001276062
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP20N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP20N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000013527
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 3TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380P6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R380P6BTMA1CT-ND
  别名：IPD60R380P6BTMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R520CPATMA1
  仓库库存编号：IPD60R520CPATMA1-ND
  别名：SP000680640
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600CPATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600CPATMA1-ND
  别名：SP000680642
  
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  MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI11N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI11N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000013522
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI20N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI20N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000014453
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP11N60CFDHKSA1
  仓库库存编号：SPP11N60CFDHKSA1-ND
  别名：SP000014533
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N60S5BTMA1
  仓库库存编号：SPD04N60S5BTMA1-ND
  别名：SP000313946
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380E6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R380E6BTMA1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 3.2A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K4C6BKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K4C6BKMA1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380E6ATMA2
  仓库库存编号：IPD60R380E6ATMA2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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