规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU07N60S5
仓库库存编号：
SPU07N60S5IN-ND
别名：SPU07N60S5-ND
SPU07N60S5IN
SPU07N60S5X
SPU07N60S5XK
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW11N60S5FKSA1
仓库库存编号：
SPW11N60S5FKSA1-ND
别名：SP000012462
SPW11N60S5
SPW11N60S5-ND
SPW11N60S5IN
SPW11N60S5IN-ND
SPW11N60S5X
SPW11N60S5XK
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB03N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB03N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB03N60S5INCT
SPB03N60S5INCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB04N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB04N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB04N60S5INCT
SPB04N60S5INCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB07N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB07N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB07N60S5INCT
SPB07N60S5INCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB11N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB11N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB11N60S5INCT
SPB11N60S5INCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB20N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB20N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB20N60S5INCT
SPB20N60S5INCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD02N60S5BTMA1
仓库库存编号：
SPD02N60S5BTMA1CT-ND
别名：SPD02N60S5INCT
SPD02N60S5INCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD03N60S5BTMA1
仓库库存编号：
SPD03N60S5BTMA1CT-ND
别名：SPD03N60S5INCT
SPD03N60S5INCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04N60S5
仓库库存编号：
SPD04N60S5INCT-ND
别名：SPD04N60S5INCT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS126L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS126 L6327
BSS126 L6327-ND
SP000247303
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126L6906HTSA1
仓库库存编号：
BSS126L6906HTSA1TR-ND
别名：BSS126 L6906
BSS126 L6906-ND
SP000247304
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS127L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS127L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS127 L6327
BSS127 L6327-ND
SP000247305
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 30W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R520CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R520CPXKSA1-ND
别名：IPA60R520CP
IPA60R520CP-ND
SP000405856
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R600CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R600CPXKSA1-ND
别名：IPA60R600CP
IPA60R600CP-ND
SP000405884
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R520CPAKSA1
仓库库存编号：
IPI60R520CPAKSA1-ND
别名：IPI60R520CP
IPI60R520CP-ND
SP000405872
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R600CPAKSA1
仓库库存编号：
IPI60R600CPAKSA1-ND
别名：IPI60R600CP
IPI60R600CP-ND
SP000405896
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R600CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP60R600CPXKSA1-ND
别名：IPP60R600CP
IPP60R600CP-ND
SP000405888
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R380C6
仓库库存编号：
IPD60R380C6INCT-ND
别名：IPD60R380C6INCT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600C6BTMA1
仓库库存编号：
IPD60R600C6BTMA1CT-ND
别名：IPD60R600C6BTMA1CT
IPD60R600C6INCT
IPD60R600C6INCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R950C6
仓库库存编号：
IPD60R950C6INCT-ND
别名：IPD60R950C6INCT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS127H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS127H6327XTSA1-ND
别名：BSS127 H6327
BSS127 H6327-ND
SP000705718
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R600CPATMA1
仓库库存编号：
IPB60R600CPATMA1CT-ND
别名：IPB60R600CPCT
IPB60R600CPCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R2K0C6BTMA1
仓库库存编号：
IPD60R2K0C6BTMA1CT-ND
别名：IPD60R2K0C6CT
IPD60R2K0C6CT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.7A（Tc） 18.1W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R3K3C6
仓库库存编号：
IPD60R3K3C6CT-ND
别名：IPD60R3K3C6CT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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