规格：漏源电压（Vdss） 600V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2223)
分立半导体产品
(2223)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(167)
Central Semiconductor Corp(3)
Diodes Incorporated(9)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(234)
Fairchild/ON Semiconductor(53)
GeneSiC Semiconductor(1)
Global Power Technologies Group(36)
Infineon Technologies(317)
IXYS(217)
IXYS Integrated Circuits Division(1)
Kionix Inc.(13)
Microchip Technology(4)
Microsemi Corporation(102)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(25)
Monolithic Power Systems Inc.(3)
ON Semiconductor(31)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
Renesas Electronics America(29)
Rohm Semiconductor(76)
Sanken(2)
STMicroelectronics(446)
Taiwan Semiconductor Corporation(93)
Toshiba Semiconductor and Storage(109)
Transphorm(9)
Vishay BC Components(15)
Vishay Beyschlag(119)
Vishay Electro-Films(50)
Vishay Huntington Electric Inc.(15)
Vishay Semiconductor Diodes Division(7)
Vishay Semiconductor Opto Division(4)
Vishay Sfernice(3)
Vishay Siliconix(22)
Vishay Spectrol(2)
Vishay Thin Film(3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP03N60S5HKSA1
仓库库存编号：
SPP03N60S5HKSA1-ND
别名：SPP03N60S5
SPP03N60S5IN
SPP03N60S5IN-ND
SPP03N60S5X
SPP03N60S5XTIN
SPP03N60S5XTIN-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW20N60S5FKSA1
仓库库存编号：
SPW20N60S5FKSA1-ND
别名：SPW20N60S5
SPW20N60S5IN
SPW20N60S5IN-ND
SPW20N60S5X
SPW20N60S5XTIN
SPW20N60S5XTIN-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD07N60S5
仓库库存编号：
SPD07N60S5INCT-ND
别名：SPD07N60S5INCT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP20N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP20N60C3IN-ND
别名：SPP20N60C3
SPP20N60C3BKSA1
SPP20N60C3IN
SPP20N60C3X
SPP20N60C3XIN
SPP20N60C3XIN-ND
SPP20N60C3XK
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD07N60S5T
仓库库存编号：
SPD07N60S5XTINCT-ND
别名：SPD07N60S5XTINCT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP125 E6327
仓库库存编号：
BSP125 E6327-ND
别名：BSP125E6327T
SP000011100
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP125 E6433
仓库库存编号：
BSP125 E6433-ND
别名：BSP125E6433T
SP000011101
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP135 E6327
仓库库存编号：
BSP135 E6327-ND
别名：BSP135E6327T
SP000011103
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP135 E6906
仓库库存编号：
BSP135 E6906-ND
别名：BSP135E6906T
SP000055417
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP135L6906HTSA1
仓库库存编号：
BSP135L6906HTSA1TR-ND
别名：BSP135 L6906
BSP135 L6906-ND
BSP135L6906XT
SP000089207
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126 E6327
仓库库存编号：
BSS126 E6327-ND
别名：BSS126E6327XT
SP000055447
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126 E6906
仓库库存编号：
BSS126 E6906-ND
别名：BSS126E6906XT
SP000055448
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS127 E6327
仓库库存编号：
BSS127 E6327-ND
别名：BSS127 E6327
BSS127 E6327-ND
BSS127E6327XT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 90mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
型号：
BSS225
仓库库存编号：
BSS225-ND
别名：BSS225T
SP000017502
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 90mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
型号：
BSS225L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS225L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS225 L6327
BSS225 L6327-ND
BSS225L6327XT
SP000095776
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R299CPXKSA1
仓库库存编号：
IPI60R299CPXKSA1-ND
别名：IPI60R299CP
IPI60R299CP-ND
IPI60R299CPAKSA1
IPI60R299CPX
IPI60R299CPXK
SP000103249
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI07N60S5HKSA1
仓库库存编号：
SPI07N60S5HKSA1-ND
别名：SP000013025
SP000680980
SPI07N60S5
SPI07N60S5-ND
SPI07N60S5IN
SPI07N60S5IN-ND
SPI07N60S5X
SPI07N60S5XK
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N60S5BKSA1
仓库库存编号：
SPI11N60S5BKSA1-ND
别名：SP000013033
SP000680992
SPI11N60S5
SPI11N60S5-ND
SPI11N60S5IN
SPI11N60S5IN-ND
SPI11N60S5X
SPI11N60S5XK
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN02N60S5
仓库库存编号：
SPN02N60S5-ND
别名：SP000012412
SP000101880
SPN02N60S5T
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 700mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN03N60S5
仓库库存编号：
SPN03N60S5-ND
别名：SP000012413
SP000101881
SPN03N60S5T
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 800mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN04N60S5
仓库库存编号：
SPN04N60S5-ND
别名：SP000012414
SP000101882
SPN04N60S5T
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP02N60S5HKSA1
仓库库存编号：
SPP02N60S5HKSA1-ND
别名：SP000012390
SP000681016
SPP02N60S5
SPP02N60S5-ND
SPP02N60S5IN
SPP02N60S5IN-ND
SPP02N60S5X
SPP02N60S5XK
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP04N60S5BKSA1
仓库库存编号：
SPP04N60S5BKSA1-ND
别名：SP000012363
SP000681026
SPP04N60S5
SPP04N60S5-ND
SPP04N60S5IN
SPP04N60S5IN-ND
SPP04N60S5X
SPP04N60S5XK
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU02N60S5BKMA1
仓库库存编号：
SPU02N60S5BKMA1-ND
别名：SPU02N60S5
SPU02N60S5-ND
SPU02N60S5IN
SPU02N60S5IN-ND
SPU02N60S5X
SPU02N60S5XK
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU04N60S5BKMA1
仓库库存编号：
SPU04N60S5BKMA1-ND
别名：SP000012424
SPU04N60S5
SPU04N60S5-ND
SPU04N60S5IN
SPU04N60S5IN-ND
SPU04N60S5X
SPU04N60S5XK
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
