规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 38A（Tc） 540W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
型号：
IRFPS38N60L
仓库库存编号：
IRFPS38N60L-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 40A（Tc） 570W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
型号：
IRFPS40N60K
仓库库存编号：
IRFPS40N60K-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 29A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB30N60E-E3
仓库库存编号：
SIHB30N60E-E3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Tc） 227W（Tc） TO-247AD
型号：
SIHW23N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHW23N60E-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 125W（Tc） TO-251A
型号：
AOI4C60
仓库库存编号：
785-1648-5-ND
别名：785-1648-5
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 28W（Tc） TO-262F
型号：
AOWF11C60
仓库库存编号：
785-1656-5-ND
别名：785-1656-5
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 52W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD2C60
仓库库存编号：
785-1662-1-ND
别名：785-1662-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 14A
详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 2W（Ta），40W（Tc） TO-220F-3FS
型号：
2SK4087LS-1E
仓库库存编号：
2SK4087LS-1E-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.5A
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.9A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） TO-220F-3FS
型号：
2SK4099LS-1E
仓库库存编号：
2SK4099LS-1E-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 17A
详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Ta） 2.5W（Ta），170W（Tc） TO-3P-3L
型号：
2SK4125-1E
仓库库存编号：
2SK4125-1E-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.7A
详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.7A（Tc） 2W（Ta），40W（Tc） TO-220F-3FS
型号：
BFL4007-1E
仓库库存编号：
BFL4007-1E-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.5A（Tc） 46W（Tc） I-Pak
型号：
NDD01N60-1G
仓库库存编号：
NDD01N60-1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.5A（Tc） 46W（Tc） DPAK
型号：
NDD01N60T4G
仓库库存编号：
NDD01N60T4G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L
详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Ta） 2.5W（Ta），220W（Tc） TO-3P-3L
型号：
WPB4002-1E
仓库库存编号：
WPB4002-1E-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-251A
型号：
AOI4T60
仓库库存编号：
AOI4T60-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 20A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 463W（Tc） TO-262
型号：
AOW20C60
仓库库存编号：
AOW20C60-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB12T60PL
仓库库存编号：
785-1700-1-ND
别名：785-1700-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 51.4W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M009A060FH
仓库库存编号：
GP1M009A060FH-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M010A060FH
仓库库存编号：
GP1M010A060FH-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M012A060FH
仓库库存编号：
GP1M012A060FH-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M016A060FH
仓库库存编号：
GP1M016A060FH-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 347W（Tc） TO-3P
型号：
GP1M020A060M
仓库库存编号：
GP1M020A060M-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 347W（Tc） TO-3PN
型号：
GP1M020A060N
仓库库存编号：
GP1M020A060N-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） D-Pak
型号：
GP2M002A060CG
仓库库存编号：
GP2M002A060CG-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-220
型号：
GP2M002A060HG
仓库库存编号：
GP2M002A060HG-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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