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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 25A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 150W（Tc） TO-247
  
  型号：R6025FNZ1C9
  仓库库存编号：R6025FNZ1C9-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 36A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 312W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP36N60N
  仓库库存编号：FCP36N60N-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 19.5A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP23NM60ND
  仓库库存编号：497-8445-5-ND
  别名：497-8445-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 38.8A（Ta） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：TK39N60X,S1F
  仓库库存编号：TK39N60XS1F-ND
  别名：TK39N60X,S1F(S
  TK39N60XS1F
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 350W（Tc） TO-247-4L
  
  型号：STW56N60M2-4
  仓库库存编号：497-15578-5-ND
  别名：497-15578-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 53A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 391W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R070C6
  仓库库存编号：IPW60R070C6-ND
  别名：IPW60R070C6FKSA1
  SP000645060
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247-3
  
  型号：FCH47N60F_F133
  仓库库存编号：FCH47N60F_F133-ND
  别名：FCH47N60FF133
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW25NM60ND
  仓库库存编号：497-8455-5-ND
  别名：497-8455-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 42A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 300W（Tc） TO-247
  
  型号：STW48N60M2
  仓库库存编号：497-15250-5-ND
  别名：497-15250-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 29A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 190W（Tc） TO-220
  
  型号：STP34NM60ND
  仓库库存编号：497-11335-5-ND
  别名：497-11335-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP40N60M2
  仓库库存编号：497-14222-5-ND
  别名：497-14222-5
  STP40N60M2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 379W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG47N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG47N60EF-GE3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 470W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP26N60LPBF
  仓库库存编号：IRFP26N60LPBF-ND
  别名：*IRFP26N60LPBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 38.8A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK39A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK39A60WS4VX-ND
  别名：TK39A60W,S4VX(M
  TK39A60WS4VX
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 77.5A（Tc） 481W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R041P6FKSA1
  仓库库存编号：IPW60R041P6FKSA1-5-ND
  别名：IPW60R041P6FKSA1-5
  SP001091630
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 38.8A（Ta） 270W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK39J60W5,S1VQ
  仓库库存编号：TK39J60W5S1VQ-ND
  别名：TK39J60W5,S1VQ(O
  TK39J60W5S1VQ
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR36N60P
  仓库库存编号：IXFR36N60P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-4
  
  型号：IPZ60R040C7XKSA1
  仓库库存编号：IPZ60R040C7XKSA1-ND
  别名：SP001296204
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP60R040C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R040C7XKSA1-ND
  别名：SP001277604
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 73A（Tc） 520W（Tc）
  
  型号：SIHG73N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG73N60E-GE3-ND
  别名：SIHG73N60E-GE3CT
  SIHG73N60E-GE3CT-ND
  SIHG73N60EGE3
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 570W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS40N60KPBF
  仓库库存编号：IRFPS40N60KPBF-ND
  别名：*IRFPS40N60KPBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH70N60C5
  仓库库存编号：IXKH70N60C5-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 431W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT60N60BCSG
  仓库库存编号：APT60N60BCSG-ND
  别名：APT60N60BCSGMI
  APT60N60BCSGMI-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 40A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE40NC60
  仓库库存编号：497-3169-5-ND
  别名：497-3169-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 2.3A（Tc） 22W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R2K1CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU60R2K1CEBKMA1-ND
  别名：SP001276064
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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