规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFUC20
仓库库存编号：
IRFUC20-ND
别名：*IRFUC20
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBC40GLC
仓库库存编号：
IRFIBC40GLC-ND
别名：*IRFIBC40GLC
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBC20L
仓库库存编号：
IRFBC20L-ND
别名：*IRFBC20L
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBC30L
仓库库存编号：
IRFBC30L-ND
别名：*IRFBC30L
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBC40L
仓库库存编号：
IRFBC40L-ND
别名：*IRFBC40L
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC20STRL
仓库库存编号：
IRFBC20STRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC20STRR
仓库库存编号：
IRFBC20STRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBC30AL
仓库库存编号：
IRFBC30AL-ND
别名：*IRFBC30AL
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30ASTRL
仓库库存编号：
IRFBC30ASTRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30ASTRR
仓库库存编号：
IRFBC30ASTRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30STRL
仓库库存编号：
IRFBC30STRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30STRR
仓库库存编号：
IRFBC30STRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） I2PAK
型号：
IRFBC40AL
仓库库存编号：
IRFBC40AL-ND
别名：*IRFBC40AL
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40ASTRL
仓库库存编号：
IRFBC40ASTRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40ASTRR
仓库库存编号：
IRFBC40ASTRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBC40LCL
仓库库存编号：
IRFBC40LCL-ND
别名：*IRFBC40LCL
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBC40LC
仓库库存编号：
IRFBC40LC-ND
别名：*IRFBC40LC
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40LCS
仓库库存编号：
IRFBC40LCS-ND
别名：*IRFBC40LCS
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40LCSTRL
仓库库存编号：
IRFBC40LCSTRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40LCSTRR
仓库库存编号：
IRFBC40LCSTRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40STRL
仓库库存编号：
IRFBC40STRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40STRR
仓库库存编号：
IRFBC40STRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPC50LC
仓库库存编号：
IRFPC50LC-ND
别名：*IRFPC50LC
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1N60ATRL
仓库库存编号：
IRFR1N60ATRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1N60ATR
仓库库存编号：
IRFR1N60ATR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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