规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO-263
型号:
IPB60R280P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R280P6ATMA1-ND
别名:SP001364468
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R380C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI60R380C6XKSA1-ND
别名:IPI60R380C6
IPI60R380C6-ND
SP000660630
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R385CP
仓库库存编号:
IPB60R385CPCT-ND
别名:IPB60R385CPCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16.8A 3TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 16.8A(Tc) 126W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R230P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R230P6ATMA1-ND
别名:SP001364466
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26.7A (Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R190CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R190CEXKSA1-ND
别名:SP001391612
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI07N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI07N60C3XKSA1-ND
别名:SP000680976
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 13A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R180C7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R180C7ATMA1-ND
别名:SP001277630
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R299CP
仓库库存编号:
IPB60R299CPCT-ND
别名:IPB60R299CPCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R280C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R280C6XKSA1-ND
别名:IPP60R280C6
IPP60R280C6-ND
SP000645028
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13.8A(Tc) 32W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R280E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R280E6XKSA1-ND
别名:IPA60R280E6
IPA60R280E6-ND
SP000797292
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R280E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R280E6XKSA1-ND
别名:IPP60R280E6
IPP60R280E6-ND
SP000797290
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R299CPAATMA1
仓库库存编号:
IPB60R299CPAATMA1-ND
别名:SP000539970
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 13A(Tc) 77W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R185C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R185C7AUMA1-ND
别名:SP001296238
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 23.8A(Tc) 176W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R160P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R160P6ATMA1-ND
别名:SP001313876
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 33W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R299CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R299CPXKSA1-ND
别名:IPA60R299CP
IPA60R299CP-ND
SP000096438
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP04N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP04N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681024
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.1A(Tc) 29W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R520C6
仓库库存编号:
IPA60R520C6-ND
别名:IPA60R520C6XKSA1
SP000645072
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9A(Tc) 29W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA60R180C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R180C7XKSA1-ND
别名:SP001296216
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R190C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI60R190C6XKSA1-ND
别名:IPI60R190C6
IPI60R190C6-ND
SP000660618
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-3
型号:
SPA11N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPA11N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000216317
SPA11N60CFD
SPA11N60CFD-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R199CPAATMA1
仓库库存编号:
IPB60R199CPAATMA1-ND
别名:SP000539966
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R199CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI60R199CPXKSA1-ND
别名:IPI60R199CP
IPI60R199CP-ND
IPI60R199CPX
IPI60R199CPXK
SP000103248
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R280E6
仓库库存编号:
IPW60R280E6-ND
别名:IPW60R280E6FKSA1
SP000797382
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 17A(Tc) 103W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R125C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R125C7AUMA1-ND
别名:SP001385066
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R165CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R165CPXKSA1-ND
别名:IPA60R165CP
IPA60R165CP-ND
SP000096437
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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