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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 39A 250W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTC60HM70SCTG
  仓库库存编号：APTC60HM70SCTG-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 45A（Tc） 568W（Tc） SP1
  
  型号：APTML60U12R020T1AG
  仓库库存编号：APTML60U12R020T1AG-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 143A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 143A（Tc） 833W（Tc） SP4
  
  型号：APTC60DAM18CTG
  仓库库存编号：APTC60DAM18CTG-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 600V 95A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 95A 462W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC60HM24T3G
  仓库库存编号：APTC60HM24T3G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 49A 250W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTC60HM45SCTG
  仓库库存编号：APTC60HM45SCTG-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 600V 95A 462W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTC60AM24SCTG
  仓库库存编号：APTC60AM24SCTG-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 600V 72A 416W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTC60TAM35PG
  仓库库存编号：APTC60TAM35PG-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 45A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 45A 568W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTML602U12R020T3AG
  仓库库存编号：APTML602U12R020T3AG-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 600V 95A 462W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTC60TAM24TPG
  仓库库存编号：APTC60TAM24TPG-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 600V 116A 625W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTC60TAM21SCTPAG
  仓库库存编号：APTC60TAM21SCTPAG-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 600V 100A
  详细描述：通孔 600V 100A（Tc） 769W（Tc） TO-258
  
  型号：GA50JT06-258
  仓库库存编号：1242-1253-ND
  别名：1242-1253
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 90mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS225H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS225H6327XTSA1-ND
  别名：SP001195032
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.3A（Tc） 22W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R2K1CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R2K1CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD60R2K1CEBTMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.1A（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R1K5CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K5CEAKMA1-ND
  别名：SP001369534
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 49W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K5CEAKMA2
  仓库库存编号：IPU60R1K5CEAKMA2-ND
  别名：SP001396898
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.3A（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K0CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K0CEAKMA1-ND
  别名：SP001369532
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.3A（Tc） 61W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K0CEAKMA2
  仓库库存编号：IPU60R1K0CEAKMA2-ND
  别名：SP001396378
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP125H6433XTMA1
  仓库库存编号：BSP125H6433XTMA1-ND
  别名：SP001058578
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R2K0C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R2K0C6ATMA1-ND
  别名：SP001117714
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 82W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R650CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R650CEBTMA1-ND
  别名：SP001369530
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.3A（Tc） 21.6W（Tc） Thin-PAK（5x6）
  
  型号：IPL60R2K1C6SATMA1
  仓库库存编号：IPL60R2K1C6SATMA1-ND
  别名：SP001163026
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K4C6AKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K4C6AKMA1-ND
  别名：SP001292874
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.1A（Tc） 74W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R460CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R460CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R460CEATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3A（Tc） 26.6W（Tc） Thin-PAK（5x6）
  
  型号：IPL60R1K5C6SATMA1
  仓库库存编号：IPL60R1K5C6SATMA1-ND
  别名：SP001163010
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5A（Tc） 20W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R1K5CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R1K5CEXKSA1-ND
  别名：SP001429420
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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