规格:漏源电压(Vdss) 600V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2223)
分立半导体产品
(2223)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(167)
Central Semiconductor Corp(3)
Diodes Incorporated(9)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(234)
Fairchild/ON Semiconductor(53)
GeneSiC Semiconductor(1)
Global Power Technologies Group(36)
Infineon Technologies(317)
IXYS(217)
IXYS Integrated Circuits Division(1)
Kionix Inc.(13)
Microchip Technology(4)
Microsemi Corporation(102)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(25)
Monolithic Power Systems Inc.(3)
ON Semiconductor(31)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
Renesas Electronics America(29)
Rohm Semiconductor(76)
Sanken(2)
STMicroelectronics(446)
Taiwan Semiconductor Corporation(93)
Toshiba Semiconductor and Storage(109)
Transphorm(9)
Vishay BC Components(15)
Vishay Beyschlag(119)
Vishay Electro-Films(50)
Vishay Huntington Electric Inc.(15)
Vishay Semiconductor Diodes Division(7)
Vishay Semiconductor Opto Division(4)
Vishay Sfernice(3)
Vishay Siliconix(22)
Vishay Spectrol(2)
Vishay Thin Film(3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 32A(Tc) 500W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR48N60Q3
仓库库存编号:
IXFR48N60Q3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) 500W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT6017LLLG
仓库库存编号:
APT6017LLLG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FDM47-06KC5
仓库库存编号:
FDM47-06KC5-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMD47-06KC5
仓库库存编号:
FMD47-06KC5-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 40A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT40N60JCU3
仓库库存编号:
APT40N60JCU3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 55A(Tc) 625W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL82N60P
仓库库存编号:
IXFL82N60P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) 500W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT6017LFLLG
仓库库存编号:
APT6017LFLLG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 50A(Tc) ISOPLUS-SMPD?.B
型号:
MKE38RK600DFELB-TRR
仓库库存编号:
MKE38RK600DFELB-TRR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 70A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT66M60L
仓库库存编号:
APT66M60L-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 70A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT66F60L
仓库库存编号:
APT66F60L-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 52A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 52A(Tc) 735W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK52N60Q2
仓库库存编号:
IXFK52N60Q2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 52A(Tc) 735W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX52N60Q2
仓库库存编号:
IXFX52N60Q2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 50A(Tc) ISOPLUS-SMPD?.B
型号:
MKE38RK600DFELB
仓库库存编号:
MKE38RK600DFELB-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 31A(Tc) 355W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT30M60J
仓库库存编号:
APT30M60J-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 43A(Tc) 565W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT6013LLLG
仓库库存编号:
APT6013LLLG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 600V 32A SOT227
详细描述:底座安装 P 沟道 600V 32A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN32P60P
仓库库存编号:
IXTN32P60P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 41A(Tc) 500W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL44N60
仓库库存编号:
IXFL44N60-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 40A(Tc) 290W(Tc) SOT-227B
型号:
IXKN40N60C
仓库库存编号:
IXKN40N60C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 41A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE44N60
仓库库存编号:
IXFE44N60-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 700W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL60N60
仓库库存编号:
IXFL60N60-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 42A(Tc) 480W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT39M60J
仓库库存编号:
APT39M60J-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 82A(Tc) 1560W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB82N60Q3
仓库库存编号:
IXFB82N60Q3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 600V 54A(Tc) 690W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT6010B2LLG
仓库库存编号:
APT6010B2LLG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 44A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N60
仓库库存编号:
IXFN44N60-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 50A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT50N60JCCU2
仓库库存编号:
APT50N60JCCU2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号