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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD4N60TM
  仓库库存编号：FCD4N60TMCT-ND
  别名：FCD4N60TMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120mA（Ta） 1.8W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：BSP135H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP135H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP135H6327XTSA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 2.5W（Ta），49W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5N60CTM
  仓库库存编号：FQD5N60CTMCT-ND
  别名：FQD5N60CTMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU1N60CTU
  仓库库存编号：FQU1N60CTUFS-ND
  别名：FQU1N60CTU-ND
  FQU1N60CTUFS
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.2A（Tc） 57W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD02N60Z-1G
  仓库库存编号：NDD02N60Z-1GOS-ND
  别名：NDD02N60Z-1G-ND
  NDD02N60Z-1GOS
  NDD02N60Z1G
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.8A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF04N60ZH
  仓库库存编号：NDF04N60ZHOS-ND
  别名：NDF04N60ZH-ND
  NDF04N60ZHOS
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 104W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT4N60
  仓库库存编号：785-1187-5-ND
  别名：785-1187-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A CPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 40W（Tc） CPT3
  
  型号：R6004CNDTL
  仓库库存编号：R6004CNDTLCT-ND
  别名：R6004CNDTLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD9NM60N
  仓库库存编号：497-10959-1-ND
  别名：497-10959-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP3N60C
  仓库库存编号：FQP3N60CFS-ND
  别名：FQP3N60C-ND
  FQP3N60CFS
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.7A（Ta） 80W（Tc） DPAK
  
  型号：TK10P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK10P60WRVQCT-ND
  别名：TK10P60WRVQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 36W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU1N60APBF
  仓库库存编号：IRFU1N60APBF-ND
  别名：*IRFU1N60APBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 185W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP10N60NZ
  仓库库存编号：FDP10N60NZ-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 178W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT11S60L
  仓库库存编号：785-1250-5-ND
  别名：785-1250-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP9NK60Z
  仓库库存编号：497-12620-5-ND
  别名：497-12620-5
  STP9NK60Z-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Ta），16A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL24NM60N
  仓库库存编号：497-11206-1-ND
  别名：497-11206-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP15N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15891-5-ND
  别名：497-15891-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R190P6
  仓库库存编号：IPP60R190P6-ND
  别名：IPP60R190P6XKSA1
  SP001017066
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 170W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFSL9N60APBF
  仓库库存编号：IRFSL9N60APBF-ND
  别名：*IRFSL9N60APBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP60R180C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R180C7XKSA1-ND
  别名：SP001277624
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP15N60E-E3
  仓库库存编号：SIHP15N60E-E3-ND
  别名：SIHP15N60EE3
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA10N60P
  仓库库存编号：IXFA10N60P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB20N60TM
  仓库库存编号：FCB20N60TMCT-ND
  别名：FCB20N60TM_NLCT
  FCB20N60TM_NLCT-ND
  FCB20N60TMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB15N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB15N60E-GE3-ND
  别名：SIHB15N60EGE3
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC50APBF
  仓库库存编号：IRFPC50APBF-ND
  别名：*IRFPC50APBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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