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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 48A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R060P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R060P7XKSA1-ND
  别名：SP001658404
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 164W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R060P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R060P7XKSA1-ND
  别名：SP001658410
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT26N60P
  仓库库存编号：IXTT26N60P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 164W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R060P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R060P7XKSA1-ND
  别名：SP001647042
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT50N60P3
  仓库库存编号：IXFT50N60P3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXKC23N60C5
  仓库库存编号：IXKC23N60C5-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 50A（Tc） 660W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ50N60X
  仓库库存编号：IXFQ50N60X-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FDM15-06KC5
  仓库库存编号：FDM15-06KC5-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMD15-06KC5
  仓库库存编号：FMD15-06KC5-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH35N60C5
  仓库库存编号：IXKH35N60C5-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK31J60W5,S1VQ
  仓库库存编号：TK31J60W5S1VQ-ND
  别名：TK31J60W5,S1VQ(O
  TK31J60W5S1VQ
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXKP35N60C5
  仓库库存编号：IXKP35N60C5-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT30N60P
  仓库库存编号：IXTT30N60P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 36A（Tc） 650W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT36N60P
  仓库库存编号：IXFT36N60P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 36A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 36A（Tc） 650W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK36N60P
  仓库库存编号：IXFK36N60P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR30N60P
  仓库库存编号：IXFR30N60P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET P-CH 600V 10A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 600V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT10P60
  仓库库存编号：IXTT10P60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA47N60
  仓库库存编号：FCA47N60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA47N60_F109
  仓库库存编号：FCA47N60_F109FS-ND
  别名：FCA47N60_F109-ND
  FCA47N60_F109FS
  FCA47N60F109
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） 660W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT50N60X
  仓库库存编号：IXFT50N60X-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 73A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG73N60E-E3
  仓库库存编号：SIHG73N60E-E3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 50A（Tc） 660W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH50N60X
  仓库库存编号：IXFH50N60X-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH20N60Q
  仓库库存编号：IXFH20N60Q-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH23N60Q
  仓库库存编号：IXFH23N60Q-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 60A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 890W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH60N60X
  仓库库存编号：IXFH60N60X-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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