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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG33N60E-E3
  仓库库存编号：SIHG33N60E-E3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-220
  
  型号：TK20E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK20E60WS1VX-ND
  别名：TK20E60W,S1VX(S
  TK20E60WS1VX
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 347W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH16N60P3
  仓库库存编号：IXFH16N60P3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXKP20N60C5
  仓库库存编号：IXKP20N60C5-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH20N60C5
  仓库库存编号：IXKH20N60C5-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ24N60X
  仓库库存编号：IXFQ24N60X-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 37A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH104N60F_F085
  仓库库存编号：FCH104N60F_F085-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-220
  
  型号：IXFP30N60X
  仓库库存编号：IXFP30N60X-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.8A（Ta） 240W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK31V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK31V60WLVQCT-ND
  别名：TK31V60WLVQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 30A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-263
  
  型号：IXFA30N60X
  仓库库存编号：IXFA30N60X-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ22N60P
  仓库库存编号：IXTQ22N60P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXKP24N60C5
  仓库库存编号：IXKP24N60C5-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Tc） TO-220ABFP
  
  型号：IXKP24N60C5M
  仓库库存编号：IXKP24N60C5M-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R099P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R099P7XKSA1-ND
  别名：SP001658390
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 117W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R099P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R099P7XKSA1-ND
  别名：SP001647032
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBC40G
  仓库库存编号：IRFIBC40G-ND
  别名：*IRFIBC40G
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 400W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IXFH24N60X
  仓库库存编号：IXFH24N60X-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-247
  
  型号：TK20N60W,S1VF
  仓库库存编号：TK20N60WS1VF-ND
  别名：TK20N60W,S1VF(S
  TK20N60WS1VF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 335W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT18F60B
  仓库库存编号：APT18F60B-ND
  别名：APT18F60BMI
  APT18F60BMI-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 415W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT23F60B
  仓库库存编号：APT23F60B-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXKC15N60C5
  仓库库存编号：IXKC15N60C5-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 347W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA16N60P3
  仓库库存编号：IXFA16N60P3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 117W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R099P7XKSA1-ND
  别名：SP001647038
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH22N60P
  仓库库存编号：IXFH22N60P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH24N60C5
  仓库库存编号：IXKH24N60C5-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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