规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA14N60P
仓库库存编号:
IXFA14N60P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 205W(Tc) TO-247-3
型号:
FCH22N60N
仓库库存编号:
FCH22N60N-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ14N60P
仓库库存编号:
IXTQ14N60P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) TO-220AB
型号:
IXKP13N60C5
仓库库存编号:
IXKP13N60C5-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) TO-220ABFP
型号:
IXKP13N60C5M
仓库库存编号:
IXKP13N60C5M-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A60W,S4VX
仓库库存编号:
TK12A60WS4VX-ND
别名:TK12A60W,S4VX(M
TK12A60WS4VX
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 100W(Tc) LPTS
型号:
R6020ANJTL
仓库库存编号:
R6020ANJTL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH14N60P
仓库库存编号:
IXFH14N60P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 23.5A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 23.5A(Tc) 310W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA24N60
仓库库存编号:
FQA24N60FS-ND
别名:FQA24N60-ND
FQA24N60FS
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF20N60
仓库库存编号:
FCPF20N60-ND
别名:FCPF20N60_NL
FCPF20N60_NL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ18N60P
仓库库存编号:
IXTQ18N60P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
FCP16N60N IN TO220 F102 T/F OPTI
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 134.4W(Tc) TO-220F
型号:
FCP16N60N_F102
仓库库存编号:
FCP16N60N_F102-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R120P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R120P7XKSA1-ND
别名:SP001658376
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 26A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 95W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R120P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R120P7XKSA1-ND
别名:SP001647028
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7.6A(Tc) TO-220ABFP
型号:
IXKP20N60C5M
仓库库存编号:
IXKP20N60C5M-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 278W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB33N60ET5-GE3
仓库库存编号:
SIHB33N60ET5-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 278W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB33N60ET1-GE3
仓库库存编号:
SIHB33N60ET1-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 400W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP24N60X
仓库库存编号:
IXFP24N60X-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 90W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
IXTP18N60PM
仓库库存编号:
IXTP18N60PM-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG30N60E-E3
仓库库存编号:
SIHG30N60E-E3-ND
别名:SIHG30N60EE3
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH18N60P
仓库库存编号:
IXFH18N60P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 24A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 400W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA24N60X
仓库库存编号:
IXFA24N60X-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC50LCPBF
仓库库存编号:
IRFPC50LCPBF-ND
别名:*IRFPC50LCPBF
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 95W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R120P7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R120P7XKSA1-ND
别名:SP001658382
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
FCP22N60N IN TO220 F102 T/F OPTI
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 205W(Tc) TO-220F
型号:
FCP22N60N_F102
仓库库存编号:
FCP22N60N_F102-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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