规格:漏源电压(Vdss) 600V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2223)
分立半导体产品
(2223)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(167)
Central Semiconductor Corp(3)
Diodes Incorporated(9)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(234)
Fairchild/ON Semiconductor(53)
GeneSiC Semiconductor(1)
Global Power Technologies Group(36)
Infineon Technologies(317)
IXYS(217)
IXYS Integrated Circuits Division(1)
Kionix Inc.(13)
Microchip Technology(4)
Microsemi Corporation(102)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(25)
Monolithic Power Systems Inc.(3)
ON Semiconductor(31)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
Renesas Electronics America(29)
Rohm Semiconductor(76)
Sanken(2)
STMicroelectronics(446)
Taiwan Semiconductor Corporation(93)
Toshiba Semiconductor and Storage(109)
Transphorm(9)
Vishay BC Components(15)
Vishay Beyschlag(119)
Vishay Electro-Films(50)
Vishay Huntington Electric Inc.(15)
Vishay Semiconductor Diodes Division(7)
Vishay Semiconductor Opto Division(4)
Vishay Sfernice(3)
Vishay Siliconix(22)
Vishay Spectrol(2)
Vishay Thin Film(3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC40GLCPBF
仓库库存编号:
IRFIBC40GLCPBF-ND
别名:*IRFIBC40GLCPBF
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 200W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA10N60P
仓库库存编号:
IXTA10N60P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 277.8W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG17N60D-E3
仓库库存编号:
SIHG17N60D-E3-ND
别名:SIHG17N60D-E3CT
SIHG17N60D-E3CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 277.8W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG17N60D-GE3
仓库库存编号:
SIHG17N60D-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 208W(Tc) TO-3PN
型号:
FCA20N60
仓库库存编号:
FCA20N60-ND
别名:FCA20N60_NL
FCA20N60_NL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 208W(Tc) TO-3PN
型号:
FCA20N60_F109
仓库库存编号:
FCA20N60_F109-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 100W(Tc) LPTS
型号:
R6015ANJTL
仓库库存编号:
R6015ANJTL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP10N60P
仓库库存编号:
IXTP10N60P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 29.8W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FCPF9N60NTYDTU
仓库库存编号:
FCPF9N60NTYDTU-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB22N60ET5-GE3
仓库库存编号:
SIHB22N60ET5-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) TO-220AB
型号:
IXKP10N60C5
仓库库存编号:
IXKP10N60C5-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Ta) 110W(Tc) TO-220
型号:
TK12E60W,S1VX
仓库库存编号:
TK12E60WS1VX-ND
别名:TK12E60W,S1VX(S
TK12E60WS1VX
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 116W(Tc) TO-220
型号:
FCP13N60N
仓库库存编号:
FCP13N60NFS-ND
别名:FCP13N60N-ND
FCP13N60NFS
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP14N60P
仓库库存编号:
IXTP14N60P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.6A(Tc) 208W(Tc) TO-220
型号:
FCP190N60E
仓库库存编号:
FCP190N60E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40ASTRLPBF
仓库库存编号:
IRFBC40ASTRLPBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40ASTRRPBF
仓库库存编号:
IRFBC40ASTRRPBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA14N60P
仓库库存编号:
IXTA14N60P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 37A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 417W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB42S60L
仓库库存编号:
AOB42S60L-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG22N60EL-GE3
仓库库存编号:
SIHG22N60EL-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Ta) 80W(Tc) I-Pak
型号:
TK10Q60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK10Q60WS1VQ-ND
别名:TK10Q60W,S1VQ(S
TK10Q60WS1VQ
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK15A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK15A60D(STA4QM)-ND
别名:TK15A60D(STA4QM)
TK15A60DSTA4QM
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 100W(Tc) LPTS
型号:
R6018ANJTL
仓库库存编号:
R6018ANJTL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A60W,S4VX
仓库库存编号:
TK10A60WS4VX-ND
别名:TK10A60W,S4VX(M
TK10A60WS4VX
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 327W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH14N60P3
仓库库存编号:
IXFH14N60P3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号