规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.2A(Tc) 106W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP380N60
仓库库存编号:
FCP380N60-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF20N60
仓库库存编号:
AOTF20N60-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 298W(Tc) TO-220
型号:
AOT11C60PL
仓库库存编号:
785-1710-5-ND
别名:785-1710-5
AOT11C60PL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 178W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB11S60L
仓库库存编号:
785-1246-1-ND
别名:785-1246-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 278W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB11C60L
仓库库存编号:
AOB11C60L-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 55W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP2N60P
仓库库存编号:
IXTP2N60P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 600V TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Ta) 30W(Tc) TO-220F
型号:
2SK2848
仓库库存编号:
2SK2848-ND
别名:2SK2848 DK
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 208W(Tc) TO-220
型号:
AOT15S60L
仓库库存编号:
785-1267-5-ND
别名:785-1267-5
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 15A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 208W(Tc) TO-262
型号:
AOW15S60
仓库库存编号:
AOW15S60-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 15A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 27.8W(Tc)
型号:
AOWF15S60
仓库库存编号:
AOWF15S60-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF7N60
仓库库存编号:
FCPF7N60-ND
别名:FCPF7N60_NL
FCPF7N60_NL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 89W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP4N60P
仓库库存编号:
IXTP4N60P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.52A 5-DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 520mA(Ta),12A(Tc) 8.3W(Ta),208W(Tc) 4-DFN-EP(8x8)
型号:
AOV15S60
仓库库存编号:
785-1684-1-ND
别名:785-1684-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 1.4A(Tc) 50W(Tc) TO-251
型号:
IXTU1R4N60P
仓库库存编号:
IXTU1R4N60P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 21W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R600P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600P7SXKSA1-ND
别名:SP001658294
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 114W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N360U1-1G
仓库库存编号:
NDD60N360U1-1G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 114W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N360U1-35G
仓库库存编号:
NDD60N360U1-35G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 3A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Ta) 40.3W(Tc) TO-251
型号:
RJK6032DPH-E0#T2
仓库库存编号:
RJK6032DPH-E0#T2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 147W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB12N60ET1-GE3
仓库库存编号:
SIHB12N60ET1-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 147W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB12N60ET5-GE3
仓库库存编号:
SIHB12N60ET5-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 70W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY3N60P
仓库库存编号:
IXTY3N60P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Monolithic Power Systems Inc.
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP
详细描述:Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W Through Hole 8-PDIP
型号:
LN60A01EP-LF
仓库库存编号:
LN60A01EP-LF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 208W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB15S60L
仓库库存编号:
785-1261-2-ND
别名:785-1261-2
AOB15S60
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 417W(Tc) TO-220
型号:
AOT20N60L
仓库库存编号:
785-1512-5-ND
别名:AOT20N60L-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 114W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA4N60P3
仓库库存编号:
IXFA4N60P3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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