规格:漏源电压(Vdss) 600V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2223)
分立半导体产品
(2223)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(167)
Central Semiconductor Corp(3)
Diodes Incorporated(9)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(234)
Fairchild/ON Semiconductor(53)
GeneSiC Semiconductor(1)
Global Power Technologies Group(36)
Infineon Technologies(317)
IXYS(217)
IXYS Integrated Circuits Division(1)
Kionix Inc.(13)
Microchip Technology(4)
Microsemi Corporation(102)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(25)
Monolithic Power Systems Inc.(3)
ON Semiconductor(31)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
Renesas Electronics America(29)
Rohm Semiconductor(76)
Sanken(2)
STMicroelectronics(446)
Taiwan Semiconductor Corporation(93)
Toshiba Semiconductor and Storage(109)
Transphorm(9)
Vishay BC Components(15)
Vishay Beyschlag(119)
Vishay Electro-Films(50)
Vishay Huntington Electric Inc.(15)
Vishay Semiconductor Diodes Division(7)
Vishay Semiconductor Opto Division(4)
Vishay Sfernice(3)
Vishay Siliconix(22)
Vishay Spectrol(2)
Vishay Thin Film(3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.5A(Tc) 125W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP6N60C
仓库库存编号:
FQP6N60C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.6A(Tc) 54W(Tc) I-Pak
型号:
FCU5N60TU
仓库库存编号:
FCU5N60TU-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF11C60
仓库库存编号:
AOTF11C60-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.2A(Tc) 94W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
NDD60N550U1-1G
仓库库存编号:
NDD60N550U1-1G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.2A(Tc) 94W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
NDD60N550U1-35G
仓库库存编号:
NDD60N550U1-35G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 36W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF11N60
仓库库存编号:
FCPF11N60-ND
别名:FCPF11N60_NL
FCPF11N60_NL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 38W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF11S60
仓库库存编号:
AOTF11S60-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 178W(Tc) TO-262
型号:
AOW11S60
仓库库存编号:
AOW11S60-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 28W(Tc)
型号:
AOWF11S60
仓库库存编号:
AOWF11S60-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 38W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF11S60L
仓库库存编号:
AOTF11S60L-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 278W(Tc) TO-220
型号:
AOT11C60L
仓库库存编号:
AOT11C60L-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 3.13W(Ta),147W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB8N60CTM
仓库库存编号:
FQB8N60CTMFSCT-ND
别名:FQB8N60CTMFSCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK10A60DSTA4QM-ND
别名:TK10A60DSTA4QM
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 225W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP12N60C
仓库库存编号:
FQP12N60C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK3A60DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK3A60DA(STA4QM)-ND
别名:TK3A60DA(STA4QM)
TK3A60DASTA4QM
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 78W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP7N60E-E3
仓库库存编号:
SIHP7N60E-E3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1.4A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1R4N60P
仓库库存编号:
IXTP1R4N60P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 55W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY2N60P
仓库库存编号:
IXTY2N60P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 80W(Tc) DPAK
型号:
TK8P60W,RVQ
仓库库存编号:
TK8P60WRVQCT-ND
别名:TK8P60WRVQCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 650mA(Ta),8A(Tc) 8.3W(Ta),156W(Tc) 4-DFN-EP(8x8)
型号:
AOV11S60
仓库库存编号:
785-1683-1-ND
别名:785-1683-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF11C60P
仓库库存编号:
AOTF11C60P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF11C60PL
仓库库存编号:
785-1715-5-ND
别名:785-1715-5
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF7N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHF7N60E-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Tc) 170W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHFS9N60A-GE3
仓库库存编号:
SIHFS9N60A-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 208W(Tc) TO-251A
型号:
AOI11S60
仓库库存编号:
AOI11S60-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号