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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 104W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT7S60L
  仓库库存编号：785-1269-5-ND
  别名：785-1269-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 34W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF7S60L
  仓库库存编号：785-1521-5-ND
  别名：AOTF7S60L-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.3A（Tc） 104W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMG3N60SCT
  仓库库存编号：DMG3N60SCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 7A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 25W（Tc）
  
  型号：AOWF7S60
  仓库库存编号：AOWF7S60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHD7N60ET4-GE3
  仓库库存编号：SIHD7N60ET4-GE3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHD7N60ET5-GE3
  仓库库存编号：SIHD7N60ET5-GE3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF10N60C
  仓库库存编号：FQPF10N60C-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） I-Pak
  
  型号：SIHU7N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHU7N60E-GE3-ND
  别名：SIHU7N60EGE3
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Ta） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK6P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK6P60WRVQCT-ND
  别名：TK6P60WRVQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  LOW POWER_NEW
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R280P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R280P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R280P7ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.6A（Tc） 84W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD60N745U1-1G
  仓库库存编号：NDD60N745U1-1G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.6A（Tc） 84W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD60N745U1-35G
  仓库库存编号：NDD60N745U1-35G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 7A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 104W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW7S60
  仓库库存编号：AOW7S60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 104W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB7S60L
  仓库库存编号：785-1263-1-ND
  别名：785-1263-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFBC30ALPBF
  仓库库存编号：IRFBC30ALPBF-ND
  别名：*IRFBC30ALPBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB12N60FDL
  仓库库存编号：785-1617-1-ND
  别名：785-1617-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10.2A（Tc） 31W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF380N60
  仓库库存编号：FCPF380N60FS-ND
  别名：FCPF380N60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Ta） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK7P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK7P60WRVQCT-ND
  别名：TK7P60WRVQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Monolithic Power Systems Inc.
  MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W 8-SOIC
  
  型号：LN60A01ES-LF
  仓库库存编号：LN60A01ES-LF-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 160mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：VN2460N3-G-P003
  仓库库存编号：VN2460N3-G-P003-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 160mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：VN2460N3-G-P014
  仓库库存编号：VN2460N3-G-P014-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：SIHD7N60E-E3
  仓库库存编号：SIHD7N60E-E3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  CONSUMER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 18A（Tc） 72W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R180P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R180P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD60R180P7SAUMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 114A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 114W（Tc） DPAK-3
  
  型号：NDD60N360U1T4G
  仓库库存编号：NDD60N360U1T4G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-251
  
  型号：SIHU7N60E-E3
  仓库库存编号：SIHU7N60E-E3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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