规格：漏源电压（Vdss） 600V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2223)
分立半导体产品
(2223)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(167)
Central Semiconductor Corp(3)
Diodes Incorporated(9)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(234)
Fairchild/ON Semiconductor(53)
GeneSiC Semiconductor(1)
Global Power Technologies Group(36)
Infineon Technologies(317)
IXYS(217)
IXYS Integrated Circuits Division(1)
Kionix Inc.(13)
Microchip Technology(4)
Microsemi Corporation(102)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(25)
Monolithic Power Systems Inc.(3)
ON Semiconductor(31)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
Renesas Electronics America(29)
Rohm Semiconductor(76)
Sanken(2)
STMicroelectronics(446)
Taiwan Semiconductor Corporation(93)
Toshiba Semiconductor and Storage(109)
Transphorm(9)
Vishay BC Components(15)
Vishay Beyschlag(119)
Vishay Electro-Films(50)
Vishay Huntington Electric Inc.(15)
Vishay Semiconductor Diodes Division(7)
Vishay Semiconductor Opto Division(4)
Vishay Sfernice(3)
Vishay Siliconix(22)
Vishay Spectrol(2)
Vishay Thin Film(3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH22N60P3
仓库库存编号：
IXFH22N60P3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW34NM60ND
仓库库存编号：
497-11366-5-ND
别名：497-11366-5
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 32A（Tc） 890W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX32P60P
仓库库存编号：
IXTX32P60P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 600V 98A MAX247
详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 625W（Tc） MAX247?
型号：
STY100NM60N
仓库库存编号：
497-13289-5-ND
别名：497-13289-5
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 85A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） TO-264A
型号：
IXKK85N60C
仓库库存编号：
IXKK85N60C-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tc） 61W（Tc） DPAK
型号：
NDD03N60ZT4G
仓库库存编号：
NDD03N60ZT4GOSCT-ND
别名：NDD03N60ZT4GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Tc） 83W（Tc） TO-252-3
型号：
IPD60R400CEATMA1
仓库库存编号：
IPD60R400CEATMA1CT-ND
别名：IPD60R400CEATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 20W（Tc） CPT3
型号：
R6004ENDTL
仓库库存编号：
R6004ENDTLCT-ND
别名：R6004ENDTLCT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 56.8W（Tc） TO-251-3
型号：
AOU3N60
仓库库存编号：
785-1182-5-ND
别名：785-1182-5
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） I-Pak
型号：
FQU2N60CTU
仓库库存编号：
FQU2N60CTU-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 83W（Tc） I-Pak
型号：
NDD04N60Z-1G
仓库库存编号：
NDD04N60Z-1GOS-ND
别名：NDD04N60Z-1G-ND
NDD04N60Z-1GOS
NDD04N60Z1G
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R280C6
仓库库存编号：
IPB60R280C6CT-ND
别名：IPB60R280C6CT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 39W（Tc） TO-220FP
型号：
NDF10N60ZG
仓库库存编号：
NDF10N60ZGOS-ND
别名：NDF10N60ZG-ND
NDF10N60ZGOS
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） I-Pak
型号：
STU10N60M2
仓库库存编号：
497-13977-5-ND
别名：497-13977-5
STU10N60M2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4.7A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
型号：
STF7NM60N
仓库库存编号：
497-10570-5-ND
别名：497-10570-5
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBC30GPBF
仓库库存编号：
IRFIBC30GPBF-ND
别名：*IRFIBC30GPBF
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 417W（Tc） TO-247
型号：
AOK20N60L
仓库库存编号：
785-1532-5-ND
别名：AOK20N60L-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF28N60M2
仓库库存编号：
497-14216-5-ND
别名：497-14216-5
STF28N60M2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 205W（Tc） TO-220-3
型号：
FCP22N60N
仓库库存编号：
FCP22N60N-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH50N60P3
仓库库存编号：
IXFH50N60P3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 61.8A（Ta） 400W（Tc） TO-247
型号：
TK62N60W,S1VF
仓库库存编号：
TK62N60WS1VF-ND
别名：TK62N60W,S1VF(S
TK62N60WS1VF
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB110N60P3
仓库库存编号：
IXFB110N60P3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB70N60Q2
仓库库存编号：
IXFB70N60Q2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 85W（Tc） DPAK
型号：
STD8N60DM2
仓库库存编号：
497-16930-1-ND
别名：497-16930-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） DPAK
型号：
STD10N60M2
仓库库存编号：
497-13937-1-ND
别名：497-13937-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
