规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 16.8A（Tc） 126W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R230P6FKSA1
仓库库存编号：
IPW60R230P6FKSA1-ND
别名：SP001017088
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD13N60M2
仓库库存编号：
497-13862-1-ND
别名：497-13862-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
型号：
STL24N60M2
仓库库存编号：
497-14214-1-ND
别名：497-14214-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） TO-220AB
型号：
STP20NM60
仓库库存编号：
497-3184-5-ND
别名：497-3184-5
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 350W（Tc） TO-247
型号：
STW56N60M2
仓库库存编号：
497-15577-5-ND
别名：497-15577-5
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A EP TO247
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247
型号：
STW42N60M2-EP
仓库库存编号：
497-15883-5-ND
别名：497-15883-5
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.3A（Tc） 45W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD1N60
仓库库存编号：
785-1179-1-ND
别名：785-1179-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 83W（Tc） DPAK
型号：
NDD04N60ZT4G
仓库库存编号：
NDD04N60ZT4GOSCT-ND
别名：NDD04N60ZT4GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 650mA（Ta），2.2A（Tc） 2W（Ta），22W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
型号：
STL3NM60N
仓库库存编号：
497-13351-1-ND
别名：497-13351-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 27A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 357W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB27S60L
仓库库存编号：
785-1248-1-ND
别名：785-1248-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
型号：
STP11NM60ND
仓库库存编号：
497-8442-5-ND
别名：497-8442-5
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
STP26NM60N
仓库库存编号：
497-9064-5-ND
别名：497-9064-5
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
STB40N60M2
仓库库存编号：
497-14963-1-ND
别名：497-14963-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
STP21NM60ND
仓库库存编号：
497-8444-5-ND
别名：497-8444-5
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
型号：
STQ1HNK60R-AP
仓库库存编号：
497-15648-1-ND
别名：497-15648-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFRC20TRPBF
仓库库存编号：
IRFRC20PBFCT-ND
别名：*IRFRC20TRPBF
IRFRC20PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R380C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R380C6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R380C6ATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB60R190P6ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R190P6ATMA1CT-ND
别名：IPB60R190P6ATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Ta） 20W（Tc） TO-220FP
型号：
STF6N60M2
仓库库存编号：
497-13948-5-ND
别名：497-13948-5
STF6N60M2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V TO220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK10A60E,S4X
仓库库存编号：
TK10A60ES4X-ND
别名：TK10A60E,S4X(S
TK10A60E,S5X
TK10A60E,S5X(M
TK10A60ES4X
TK10A60ES4X(S
TK10A60ES4X(S-ND
TK10A60ES5X
TK10A60ES5X-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS9N60ATRLPBF
仓库库存编号：
IRFS9N60ATRLPBFCT-ND
别名：IRFS9N60ATRLPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
STB28N60M2
仓库库存编号：
497-14972-1-ND
别名：497-14972-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R099C6
仓库库存编号：
IPB60R099C6CT-ND
别名：IPB60R099C6CT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220
型号：
STP24N60DM2
仓库库存编号：
497-14571-5-ND
别名：497-14571-5
STP24N60DM2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
型号：
SIHB22N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHB22N60E-GE3-ND
别名：SIHB22N60EGE3
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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