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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 266W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB20S60L
  仓库库存编号：785-1247-1-ND
  别名：785-1247-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 50W（Tc） LPTS（SC-83）
  
  型号：R6012FNJTL
  仓库库存编号：R6012FNJTLCT-ND
  别名：R6012FNJTLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
  
  型号：R6011ENJTL
  仓库库存编号：R6011ENJTLCT-ND
  别名：R6011ENJTLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 24A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
  
  型号：R6024ENJTL
  仓库库存编号：R6024ENJTLCT-ND
  别名：R6024ENJTLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 15A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 50W（Tc） LPTS
  
  型号：R6015FNJTL
  仓库库存编号：R6015FNJTLCT-ND
  别名：R6015FNJTLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 90W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB12NM60N
  仓库库存编号：497-7931-1-ND
  别名：497-7931-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 15A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
  
  型号：R6015ENJTL
  仓库库存编号：R6015ENJTLCT-ND
  别名：R6015ENJTLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 24A POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 245W（Tc） LPTS
  
  型号：R6024KNJTL
  仓库库存编号：R6024KNJTLCT-ND
  别名：R6024KNJTLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK15A60U(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK15A60U(STA4QM)-ND
  别名：TK15A60U(Q)
  TK15A60U(Q,M)
  TK15A60U(QM)
  TK15A60U(QM)-ND
  TK15A60U(STA4QM)
  TK15A60UQ
  TK15A60UQ-ND
  TK15A60USTA4QM
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A60U(Q,M)
  仓库库存编号：TK12A60U(QM)-ND
  别名：TK12A60U(Q)
  TK12A60U(Q)-ND
  TK12A60U(QM)
  TK12A60UQ-ND
  TK12A60UQM
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA7N60P3
  仓库库存编号：IXFA7N60P3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 50W（Tc） LPTS
  
  型号：R6020FNJTL
  仓库库存编号：R6020FNJTLCT-ND
  别名：R6020FNJTLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 347W（Tc） TO-220
  
  型号：IXFP16N60P3
  仓库库存编号：IXFP16N60P3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 24A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB33N60DM2
  仓库库存编号：497-16354-1-ND
  别名：497-16354-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：TK16E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK16E60WS1VX-ND
  别名：TK16E60W,S1VX(S
  TK16E60WS1VX
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ22N60P3
  仓库库存编号：IXFQ22N60P3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） I2PAK
  
  型号：TK16C60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK16C60WS1VQ-ND
  别名：TK16C60W,S1VQ(S
  TK16C60WS1VQ
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-247
  
  型号：TK16N60W,S1VF
  仓库库存编号：TK16N60WS1VF-ND
  别名：TK16N60W,S1VF(S
  TK16N60WS1VF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK16J60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK16J60WS1VQ-ND
  别名：TK16J60W,S1VQ(O
  TK16J60WS1VQ
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 695W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ28N60P3
  仓库库存编号：IXFQ28N60P3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB28N60DM2
  仓库库存编号：497-16349-1-ND
  别名：497-16349-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） I2PAK
  
  型号：TK20C60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK20C60WS1VQ-ND
  别名：TK20C60W,S1VQ(S
  TK20C60WS1VQ
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 174W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH21N60EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH21N60EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH21N60EF-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ30N60X
  仓库库存编号：IXFQ30N60X-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW30N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW30N60E-GE3-ND
  别名：SIHW30N60E-GE3CT
  SIHW30N60E-GE3CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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