规格：漏源电压（Vdss） 600V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2223)
分立半导体产品
(2223)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(167)
Central Semiconductor Corp(3)
Diodes Incorporated(9)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(234)
Fairchild/ON Semiconductor(53)
GeneSiC Semiconductor(1)
Global Power Technologies Group(36)
Infineon Technologies(317)
IXYS(217)
IXYS Integrated Circuits Division(1)
Kionix Inc.(13)
Microchip Technology(4)
Microsemi Corporation(102)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(25)
Monolithic Power Systems Inc.(3)
ON Semiconductor(31)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
Renesas Electronics America(29)
Rohm Semiconductor(76)
Sanken(2)
STMicroelectronics(446)
Taiwan Semiconductor Corporation(93)
Toshiba Semiconductor and Storage(109)
Transphorm(9)
Vishay BC Components(15)
Vishay Beyschlag(119)
Vishay Electro-Films(50)
Vishay Huntington Electric Inc.(15)
Vishay Semiconductor Diodes Division(7)
Vishay Semiconductor Opto Division(4)
Vishay Sfernice(3)
Vishay Siliconix(22)
Vishay Spectrol(2)
Vishay Thin Film(3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A LPT
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
型号：
R6007ENJTL
仓库库存编号：
R6007ENJTLCT-ND
别名：R6007ENJTLCT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL12N60M2
仓库库存编号：
497-16039-1-ND
别名：497-16039-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 114W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP4N60P3
仓库库存编号：
IXFP4N60P3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
型号：
FCPF7N60YDTU
仓库库存编号：
FCPF7N60YDTU-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R380E6XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R380E6XKSA1-ND
别名：IPA60R380E6
IPA60R380E6-ND
SP000795300
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 10.2A（Tc） 31W（Tc） TO-220F-3
型号：
FCPF380N60_F152
仓库库存编号：
FCPF380N60_F152-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 7.4A（Tc） 89W（Tc） TO-220
型号：
FCP600N60Z
仓库库存编号：
FCP600N60Z-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） D2PAK
型号：
STB10N60M2
仓库库存编号：
497-14528-1-ND
别名：497-14528-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 83W（Tc） I2PAK
型号：
FCI7N60
仓库库存编号：
FCI7N60-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 124W（Tc） TO-263
型号：
R6011KNJTL
仓库库存编号：
R6011KNJTLCT-ND
别名：R6011KNJTLCT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF7N60
仓库库存编号：
FQPF7N60-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 600V 3A TO-220D
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） TO-220D-A1
型号：
2SK3048
仓库库存编号：
2SK3048-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 83W（Tc） TO-220-3
型号：
FCP7N60
仓库库存编号：
FCP7N60-ND
别名：FCP7N60_NL
FCP7N60_NL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 48W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL10N60M2
仓库库存编号：
497-14965-1-ND
别名：497-14965-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A LPT
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
型号：
R6009ENJTL
仓库库存编号：
R6009ENJTLCT-ND
别名：R6009ENJTLCT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
型号：
STL25N60M2-EP
仓库库存编号：
497-16249-1-ND
别名：497-16249-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL16N60M2
仓库库存编号：
497-16003-1-ND
别名：497-16003-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A LPT
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
型号：
R6020ENJTL
仓库库存编号：
R6020ENJTLCT-ND
别名：R6020ENJTLCT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
STB18N60M2
仓库库存编号：
497-13933-1-ND
别名：497-13933-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF12N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHF12N60E-GE3CT-ND
别名：SIHF12N60E-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF10N60ZUT
仓库库存编号：
FDPF10N60ZUT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 327W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP14N60P3
仓库库存编号：
IXFP14N60P3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-220
型号：
TK16E60W5,S1VX
仓库库存编号：
TK16E60W5S1VX-ND
别名：TK16E60W5,S1VX(S
TK16E60W5S1VX
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 327W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA14N60P3
仓库库存编号：
IXFA14N60P3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
NCH 600V 20A POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 231W（Tc） TO-263
型号：
R6020KNJTL
仓库库存编号：
R6020KNJTLCT-ND
别名：R6020KNJTLCT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
