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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 147W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP12N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP12N60E-GE3-ND
  别名：SIHP12N60E-GE3CT
  SIHP12N60E-GE3CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R280C6
  仓库库存编号：IPW60R280C6-ND
  别名：IPW60R280C6FKSA1
  SP000645032
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R160P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R160P6XKSA1-ND
  别名：SP001017068
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 70W（Tc） TO-220
  
  型号：STP10NM60ND
  仓库库存编号：497-12276-ND
  别名：497-12276
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 20A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 231W（Tc） TO-247
  
  型号：R6020KNZ1C9
  仓库库存编号：R6020KNZ1C9-ND
  别名：R6020KNZ1C9TR
  R6020KNZ1C9TR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） TO-247
  
  型号：STW13N60M2
  仓库库存编号：497-15012-5-ND
  别名：497-15012-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10NM60ND
  仓库库存编号：497-12246-ND
  别名：497-12246
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 30A POWER MOSFET, TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 86W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6030KNX
  仓库库存编号：R6030KNX-ND
  别名：R6030KNXTR
  R6030KNXTR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 24A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 74W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6024KNZC8
  仓库库存编号：R6024KNZC8-ND
  别名：R6024KNZC8TR
  R6024KNZC8TR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 24A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 245W（Tc） TO-247
  
  型号：R6024KNZ1C9
  仓库库存编号：R6024KNZ1C9-ND
  别名：R6024KNZ1C9TR
  R6024KNZ1C9TR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 30A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 305W（Tc） TO-247
  
  型号：R6030KNZ1C9
  仓库库存编号：R6030KNZ1C9-ND
  别名：R6030KNZ1C9TR
  R6030KNZ1C9TR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 30A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 86W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6030KNZC8
  仓库库存编号：R6030KNZC8-ND
  别名：R6030KNZC8TR
  R6030KNZC8TR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-247
  
  型号：TK20N60W5,S1VF
  仓库库存编号：TK20N60W5S1VF-ND
  别名：TK20N60W5,S1VF(S
  TK20N60W5S1VF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 180W（Tc） TO-220
  
  型号：TK25E60X,S1X
  仓库库存编号：TK25E60XS1X-ND
  别名：TK25E60X,S1X(S
  TK25E60XS1X
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 25A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：TK25N60X5,S1F
  仓库库存编号：TK25N60X5S1F-ND
  别名：TK25N60X5,S1F(S
  TK25N60X5S1F
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 180W（Tc） TO-220
  
  型号：TK25E60X5,S1X
  仓库库存编号：TK25E60X5S1X-ND
  别名：TK25E60X5,S1X(S
  TK25E60X5S1X
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI22NM60N
  仓库库存编号：497-12259-ND
  别名：497-12259
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  NCH 600V 35A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 379W（Tc） TO-247
  
  型号：R6035KNZ1C9
  仓库库存编号：R6035KNZ1C9-ND
  别名：R6035KNZ1C9TR
  R6035KNZ1C9TR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 23A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 190W（Tc） TO-220
  
  型号：STP28NM60ND
  仓库库存编号：497-14196-5-ND
  别名：497-14196-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW15NM60N
  仓库库存编号：497-7618-5-ND
  别名：497-7618-5
  STW15NM60N-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 255W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW43NM60N
  仓库库存编号：497-8460-5-ND
  别名：497-8460-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT47N60BC3G
  仓库库存编号：APT47N60BC3G-ND
  别名：APT47N60BC3GMI
  APT47N60BC3GMI-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R2K0C6AKMA1
  仓库库存编号：IPU60R2K0C6AKMA1-ND
  别名：SP001399934
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 8.4A（Tc） 27W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN60R800CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAN60R800CEXKSA1-ND
  别名：SP001508822
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
  详细描述：N 沟道 9.9A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN60R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAN60R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001508816
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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