规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.6A(Tc) 54W(Tc) D-Pak
型号:
FCD5N60TM
仓库库存编号:
FCD5N60TMCT-ND
别名:FCD5N60TMCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 83W(Tc) D-Pak
型号:
FCD7N60TM
仓库库存编号:
FCD7N60TMCT-ND
别名:FCD7N60TMCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 60W(Tc) DPAK
型号:
TK7P60W5,RVQ
仓库库存编号:
TK7P60W5RVQCT-ND
别名:TK7P60W5RVQCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 45W(Tc) DPAK
型号:
STD7NM60N
仓库库存编号:
497-11042-1-ND
别名:497-11042-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD16N60M2
仓库库存编号:
497-15461-1-ND
别名:497-15461-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 30W(Tc) I-Pak
型号:
STD1NK60-1
仓库库存编号:
497-12782-5-ND
别名:497-12782-5
STD1NK60-1-ND
STD1NK601
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R385CPATMA1
仓库库存编号:
IPD60R385CPATMA1CT-ND
别名:IPD60R385CPATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 2.2A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC20PBF
仓库库存编号:
IRFBC20PBF-ND
别名:*IRFBC20PBF
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STD2HNK60Z-1
仓库库存编号:
497-12783-5-ND
别名:497-12783-5
STD2HNK60Z-1-ND
STD2HNK60Z1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP4NK60Z
仓库库存编号:
497-3191-5-ND
别名:497-3191-5
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 60W(Tc) I-Pak
型号:
STU6N60M2
仓库库存编号:
497-13978-5-ND
别名:497-13978-5
STU6N60M2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 92.6W(Tc) D-Pak
型号:
FCD9N60NTM
仓库库存编号:
FCD9N60NTMCT-ND
别名:FCD9N60NTMCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP7N60M2
仓库库存编号:
497-13975-5-ND
别名:497-13975-5
STP7N60M2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 22.4A(Tc) 176W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R180P6AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R180P6AUMA1CT-ND
别名:IPL60R180P6AUMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF10N60M2
仓库库存编号:
497-13945-5-ND
别名:497-13945-5
STF10N60M2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A60DSTA4QM-ND
别名:TK6A60DSTA4QM
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STF12NK60Z
仓库库存编号:
497-4808-5-ND
别名:497-4808-5
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STU7NM60N
仓库库存编号:
497-12367-ND
别名:497-12367
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF10NM60N
仓库库存编号:
497-12564-5-ND
别名:497-12564-5
STF10NM60N-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R190C6
仓库库存编号:
IPA60R190C6-ND
别名:IPA60R190C6XKSA1
SP000621152
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK13A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK13A60DSTA4QM-ND
别名:TK13A60DSTA4QM
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
STB26NM60N
仓库库存编号:
497-10985-1-ND
别名:497-10985-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
STB21NM60ND
仓库库存编号:
497-8471-1-ND
别名:497-8471-1
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 27A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 357W(Tc) TO-220
型号:
AOT27S60L
仓库库存编号:
785-1252-5-ND
别名:785-1252-5
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 208W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FCB20N60FTM
仓库库存编号:
FCB20N60FTMCT-ND
别名:FCB20N60FTMCT
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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