以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6020ANZC8
  仓库库存编号：R6020ANZC8-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6024ENZC8
  仓库库存编号：R6024ENZC8-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R125P6XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R125P6XKSA1-ND
  别名：SP001114656
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6015ENZC8
  仓库库存编号：R6015ENZC8-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 24A
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） TO-247
  
  型号：STW33N60DM2
  仓库库存编号：497-16353-5-ND
  别名：497-16353-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6012FNX
  仓库库存编号：R6012FNX-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 110W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6015ANZC8
  仓库库存编号：R6015ANZC8-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21A
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 170W（Tc） TO-220
  
  型号：STP28N60DM2
  仓库库存编号：497-16348-5-ND
  别名：497-16348-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21A
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF28N60DM2
  仓库库存编号：497-16351-5-ND
  别名：497-16351-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP43N60DM2
  仓库库存编号：497-16342-5-ND
  别名：497-16342-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 150W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6025FNZC8
  仓库库存编号：R6025FNZC8-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 28A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 695W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH28N60P3
  仓库库存编号：IXFH28N60P3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC50PBF
  仓库库存编号：IRFPC50PBF-ND
  别名：*IRFPC50PBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT30N60BC6
  仓库库存编号：APT30N60BC6-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH26N60P
  仓库库存编号：IXFH26N60P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK31J60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK31J60WS1VQ-ND
  别名：TK31J60W,S1VQ(O
  TK31J60WS1VQ
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 53A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 417W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT53N60BC6
  仓库库存编号：APT53N60BC6-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 38.8A（Ta） 270W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK39J60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK39J60WS1VQ-ND
  别名：TK39J60W,S1VQ(O
  TK39J60WS1VQ
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT43M60L
  仓库库存编号：APT43M60L-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 70A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT66F60B2
  仓库库存编号：APT66F60B2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 76A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 543W（Tc） TO-247-3
  
  型号：FCH76N60N
  仓库库存编号：FCH76N60N-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 31A（Tc） 355W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT30F60J
  仓库库存编号：APT30F60J-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 64A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK64N60Q3
  仓库库存编号：IXFK64N60Q3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXKR47N60C5
  仓库库存编号：IXKR47N60C5-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 49A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT47M60J
  仓库库存编号：APT47M60J-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索