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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 66A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN82N60Q3
  仓库库存编号：IXFN82N60Q3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 60A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN60N60
  仓库库存编号：IXFN60N60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT60M75JFLL
  仓库库存编号：APT60M75JFLL-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 70A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT60M60JFLL
  仓库库存编号：APT60M60JFLL-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
  
  型号：R6004ENJTL
  仓库库存编号：R6004ENJTLCT-ND
  别名：R6004ENJTLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 5.6A（Tc） 27W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R800CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R800CEXKSA1-ND
  别名：SP001276046
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001276044
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R1K4C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R1K4C6XKSA1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9.1A（Tc） 30W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R460CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R460CEXKSA1-ND
  别名：SP001276042
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.9A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R600P6
  仓库库存编号：IPA60R600P6-ND
  别名：IPA60R600P6XKSA1
  SP001017070
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET NCH 600V 7.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFH10N60M2
  仓库库存编号：497-16593-5-ND
  别名：497-16593-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF11N60DM2
  仓库库存编号：497-16960-ND
  别名：497-16960
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP11N60DM2
  仓库库存编号：497-16932-ND
  别名：497-16932
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R380P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R380P6XKSA1-ND
  别名：SP001017072
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R380P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R380P6XKSA1-ND
  别名：SP001017058
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 9A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF12N60M2
  仓库库存编号：497-16012-5-ND
  别名：497-16012-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 9A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 85W（Tc） TO-220
  
  型号：STP12N60M2
  仓库库存编号：497-16020-5-ND
  别名：497-16020-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6007ENX
  仓库库存编号：R6007ENX-ND
  别名：R6007ENXCT
  R6007ENXCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R380C6
  仓库库存编号：IPA60R380C6-ND
  别名：IPA60R380C6XKSA1
  SP000660632
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.310 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF13N60DM2
  仓库库存编号：497-16961-ND
  别名：497-16961
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 93W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R330P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R330P6XKSA1-ND
  别名：SP001017060
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.35 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFH13N60M2
  仓库库存编号：497-16594-5-ND
  别名：497-16594-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF16N60M2
  仓库库存编号：497-16013-5-ND
  别名：497-16013-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 12A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 147W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB12N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB12N60E-GE3-ND
  别名：SIHB12N60EGE3
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP7N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP7N60E-GE3-ND
  别名：SIHP7N60EGE3
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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