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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R950C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R950C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R950C6ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R520C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R520C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R520C6ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 89.3W（Tc） 8-ThinPak（5x6）
  
  型号：IPL60R360P6SATMA1
  仓库库存编号：IPL60R360P6SATMA1CT-ND
  别名：IPL60R360P6SATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB60R380P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R380P6ATMA1CT-ND
  别名：IPB60R380P6ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.2A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R210P6AUMA1
  仓库库存编号：IPL60R210P6AUMA1CT-ND
  别名：IPL60R210P6AUMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R190C6
  仓库库存编号：IPB60R190C6INCT-ND
  别名：IPB60R190C6INCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R160C6
  仓库库存编号：IPB60R160C6CT-ND
  别名：IPB60R160C6CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 192W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R165CP
  仓库库存编号：IPB60R165CPCT-ND
  别名：IPB60R165CPCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 30A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R125C6
  仓库库存编号：IPB60R125C6CT-ND
  别名：IPB60R125C6CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 25A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R125CP
  仓库库存编号：IPB60R125CPCT-ND
  别名：IPB60R125CPCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP10NM60N
  仓库库存编号：497-9098-5-ND
  别名：497-9098-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP10NK60ZFP
  仓库库存编号：497-5892-5-ND
  别名：497-5892-5
  STP10NK60ZFP-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Transphorm
  CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module
  
  型号：TPD3215M
  仓库库存编号：TPD3215M-ND
  别名：TPH3215M
  TPH3215M-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 1.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Tc） 41.7W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT1N60
  仓库库存编号：785-1184-5-ND
  别名：785-1184-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK7A60W5,S5VX
  仓库库存编号：TK7A60W5S5VX-ND
  别名：TK7A60W5,S5VX(M
  TK7A60W5S5VX
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF13N60M2
  仓库库存编号：497-13832-5-ND
  别名：497-13832-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB9N60APBF
  仓库库存编号：IRFB9N60APBF-ND
  别名：*IRFB9N60APBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP13NK60Z
  仓库库存编号：497-3182-5-ND
  别名：497-3182-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 115W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP10NK60Z
  仓库库存编号：497-4117-5-ND
  别名：497-4117-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP9NK60ZFP
  仓库库存编号：497-5983-5-ND
  别名：497-5983-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP25N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15892-5-ND
  别名：497-15892-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW34NM60N
  仓库库存编号：497-10975-5-ND
  别名：497-10975-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Transphorm
  GAN FET 600V 9A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3202LD
  仓库库存编号：TPH3202LD-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 17A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NTP8G206NG
  仓库库存编号：NTP8G206NGOS-ND
  别名：NTP8G206NGOS
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 77A（Tc） 568W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT77N60JC3
  仓库库存编号：APT77N60JC3-ND
  别名：APT77N60JC3MI
  APT77N60JC3MI-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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