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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 20A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 156W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK20V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK20V60WLVQCT-ND
  别名：TK20V60WLVQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 190W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK20J60U(F)
  仓库库存编号：TK20J60UF-ND
  别名：TK20J60U(F)-ND
  TK20J60UF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB42N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15896-1-ND
  别名：497-15896-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH26N60E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH26N60E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH26N60E-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 37A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP104N60
  仓库库存编号：FCP104N60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.115 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 150W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL33N60DM2
  仓库库存编号：497-16941-1-ND
  别名：497-16941-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 29A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP125N60E
  仓库库存编号：FCP125N60E-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 23A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 227W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH165N60E
  仓库库存编号：FCH165N60E-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 341W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB20N60_F085
  仓库库存编号：FCB20N60_F085CT-ND
  别名：FCB20N60_F085CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK20A60U(Q,M)
  仓库库存编号：TK20A60UQM-ND
  别名：TK20A60U(Q)
  TK20A60UQ
  TK20A60UQ-ND
  TK20A60UQM
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc）
  
  型号：SIHP30N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP30N60E-GE3CT-ND
  别名：SIHP30N60E-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 28A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 278W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH130N60
  仓库库存编号：FCH130N60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP099N60E
  仓库库存编号：FCP099N60E-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 29A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 278W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH125N60E
  仓库库存编号：FCH125N60E-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA20N60F
  仓库库存编号：FCA20N60F-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB24N60M2
  仓库库存编号：497-13575-1-ND
  别名：497-13575-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 15A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta） 170W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK15J60U(F)
  仓库库存编号：TK15J60UF-ND
  别名：TK15J60U(F)-ND
  TK15J60UF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 312.5W（Tc） TO-247-3
  
  型号：FCH35N60
  仓库库存编号：FCH35N60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB36NM60ND
  仓库库存编号：497-13861-1-ND
  别名：497-13861-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 216W（Tc） I2PAK
  
  型号：FCI25N60N_F102
  仓库库存编号：FCI25N60N_F102-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 216W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP25N60N_F102
  仓库库存编号：FCP25N60N_F102-ND
  别名：FCP25N60NF102
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 37A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH104N60
  仓库库存编号：FCH104N60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP104N60F
  仓库库存编号：FCP104N60F-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB28NM60ND
  仓库库存编号：497-14238-1-ND
  别名：497-14238-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB25NM60ND
  仓库库存编号：497-8473-1-ND
  别名：497-8473-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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