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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 13A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 147W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：SIHD14N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHD14N60E-GE3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R280C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI60R280C6XKSA1-ND
  别名：IPI60R280C6
  IPI60R280C6-ND
  SP000687554
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 15A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 147W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH14N60EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH14N60EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH14N60EF-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF9NM60N
  仓库库存编号：497-12591-5-ND
  别名：497-12591-5
  STF9NM60N-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF18NM60N
  仓库库存编号：497-10300-5-ND
  别名：497-10300-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI10NK60Z
  仓库库存编号：497-12855-5-ND
  别名：497-12855-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 600V 18A TO281
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI24N60M2
  仓库库存编号：497-13598-5-ND
  别名：497-13598-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB11NM60FDT4
  仓库库存编号：497-3511-1-ND
  别名：497-3511-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 37.9W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF16N60
  仓库库存编号：FCPF16N60-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU10NM60N
  仓库库存编号：497-12692-5-ND
  别名：497-12692-5
  STU10NM60N-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 10A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 89W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIHJ10N60E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHJ10N60E-T1-GE3-ND
  别名：SIHJ10N60E-T1-GE3CT
  SIHJ10N60E-T1-GE3CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 90W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI13NM60N
  仓库库存编号：497-12258-ND
  别名：497-12258
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 23.8A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R160P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R160P6XKSA1-ND
  别名：SP001017082
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP15N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP15N60E-GE3-ND
  别名：SIHP15N60E-GE3TR
  SIHP15N60E-GE3TR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 34W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF15N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHF15N60E-GE3-ND
  别名：SIHF15N60E-GE3TR
  SIHF15N60E-GE3TR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 34W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF15N60E-E3
  仓库库存编号：SIHF15N60E-E3-ND
  别名：SIHF15N60EE3
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK FP
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 35W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI13NK60Z
  仓库库存编号：497-12856-5-ND
  别名：497-12856-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 37W（Tc）
  
  型号：SIHF30N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHF30N60E-GE3CT-ND
  别名：SIHF30N60E-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R299CP
  仓库库存编号：IPW60R299CP-ND
  别名：IPW60R299CPFKSA1
  IPW60R299CPX
  IPW60R299CPXK
  SP000103251
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB22NM60N
  仓库库存编号：497-10298-1-ND
  别名：497-10298-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 180W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG15N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG15N60E-GE3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBC40GPBF
  仓库库存编号：IRFIBC40GPBF-ND
  别名：*IRFIBC40GPBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R160P6FKSA1
  仓库库存编号：IPW60R160P6FKSA1-ND
  别名：SP001017092
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI13N60M2
  仓库库存编号：497-13950-5-ND
  别名：497-13950-5
  STFI13N60M2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI24N60M2
  仓库库存编号：497-13775-5-ND
  别名：497-13775-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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