以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60NB380CP ROG
  仓库库存编号：TSM60NB380CP ROGTR-ND
  别名：TSM60NB380CP ROGTR
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60NB380CP ROG
  仓库库存编号：TSM60NB380CP ROGCT-ND
  别名：TSM60NB380CP ROGCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60NB380CP ROG
  仓库库存编号：TSM60NB380CP ROGDKR-ND
  别名：TSM60NB380CP ROGDKR
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 70W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB4NK60ZT4
  仓库库存编号：497-2486-1-ND
  别名：497-2486-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Tc） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK290P60Y,RQ
  仓库库存编号：TK290P60YRQCT-ND
  别名：TK290P60YRQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 50W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM4NB60CH X0G
  仓库库存编号：TSM4NB60CH X0G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：AOTF4N60L
  仓库库存编号：785-1790-ND
  别名：785-1790
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5A（Tc） 96W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD5NM60T4
  仓库库存编号：497-3163-1-ND
  别名：497-3163-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.2A（Tc） 27W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU1HN60K3
  仓库库存编号：497-13787-5-ND
  别名：497-13787-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 600V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU2LN60K3
  仓库库存编号：497-13393-5-ND
  别名：497-13393-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD2NK60Z-1
  仓库库存编号：497-12555-5-ND
  别名：497-12555-5
  STD2NK60Z-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB8NM60D
  仓库库存编号：497-5244-1-ND
  别名：497-5244-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF2NK60Z
  仓库库存编号：497-12576-5-ND
  别名：497-12576-5
  STF2NK60Z-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU7N60M2
  仓库库存编号：497-13979-5-ND
  别名：497-13979-5
  STU7N60M2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP3NK60Z
  仓库库存编号：497-7525-5-ND
  别名：497-7525-5
  STP3NK60Z-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R600C6
  仓库库存编号：IPP60R600C6-ND
  别名：IPP60R600C6XKSA1
  SP000645074
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF10N60NZ
  仓库库存编号：FDPF10N60NZ-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6.26A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF8N60CFT
  仓库库存编号：FQPF8N60CFT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP3NK60ZFP
  仓库库存编号：497-5978-5-ND
  别名：497-5978-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.8A（Ta） 240W（Tc） 4-DFN-EP（8x8）
  
  型号：TK31V60W5,LVQ
  仓库库存编号：TK31V60W5LVQCT-ND
  别名：TK31V60W5LVQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 114W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH11N60EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH11N60EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH11N60EF-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 36W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF11N60F
  仓库库存编号：FCPF11N60F-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH21N60E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH21N60E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH21N60E-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP11N60
  仓库库存编号：FCP11N60-ND
  别名：FCP11N60_NL
  FCP11N60_NL-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI15N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15957-5-ND
  别名：497-15957-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索