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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R099P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R099P6XKSA1-ND
  别名：SP001114650
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 30A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6030ENX
  仓库库存编号：R6030ENX-ND
  别名：R6030ENXCT
  R6030ENXCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 170W（Tc） TO-220
  
  型号：STP27N60M2-EP
  仓库库存编号：497-16489-5-ND
  别名：497-16489-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF43N60DM2
  仓库库存编号：497-16344-5-ND
  别名：497-16344-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF33N60M2
  仓库库存编号：497-14217-5-ND
  别名：497-14217-5
  STF33N60M2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP45N60DM2AG
  仓库库存编号：497-16128-5-ND
  别名：497-16128-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 28A
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 210W（Tc） TO-247
  
  型号：STW37N60DM2AG
  仓库库存编号：497-16103-5-ND
  别名：497-16103-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 28A
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 210W（Tc） TO-247
  
  型号：STW35N60DM2
  仓库库存编号：497-16356-5-ND
  别名：497-16356-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 170W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW27N60M2-EP
  仓库库存编号：497-16490-5-ND
  别名：497-16490-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21A
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 170W（Tc） TO-247
  
  型号：STW28N60DM2
  仓库库存编号：497-16350-5-ND
  别名：497-16350-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 110W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP60R099C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R099C7XKSA1-ND
  别名：SP001298000
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 35A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6035ENZ1C9
  仓库库存编号：R6035ENZ1C9-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6030ENZC8
  仓库库存编号：R6030ENZC8-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 30A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6030ENZ1C9
  仓库库存编号：R6030ENZ1C9-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6035ENZC8
  仓库库存编号：R6035ENZC8-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 150W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6025ANZC8
  仓库库存编号：R6025ANZC8-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW45N60DM2AG
  仓库库存编号：497-16132-5-ND
  别名：497-16132-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6015FNX
  仓库库存编号：R6015FNX-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW43N60DM2
  仓库库存编号：497-16343-5-ND
  别名：497-16343-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP28N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP28N60EF-GE3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 110W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R099C7XKSA1-ND
  别名：SP001298004
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R125CP
  仓库库存编号：IPW60R125CP-ND
  别名：IPW60R125CPFKSA1
  IPW60R125CPX
  IPW60R125CPXK
  SP000088489
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 28A FULLPAK220
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 39W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF28N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHF28N60EF-GE3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP33N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP33N60EF-GE3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB33N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHB33N60EF-GE3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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