规格:漏源电压(Vdss) 600V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2223)
分立半导体产品
(2223)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(167)
Central Semiconductor Corp(3)
Diodes Incorporated(9)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(234)
Fairchild/ON Semiconductor(53)
GeneSiC Semiconductor(1)
Global Power Technologies Group(36)
Infineon Technologies(317)
IXYS(217)
IXYS Integrated Circuits Division(1)
Kionix Inc.(13)
Microchip Technology(4)
Microsemi Corporation(102)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(25)
Monolithic Power Systems Inc.(3)
ON Semiconductor(31)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
Renesas Electronics America(29)
Rohm Semiconductor(76)
Sanken(2)
STMicroelectronics(446)
Taiwan Semiconductor Corporation(93)
Toshiba Semiconductor and Storage(109)
Transphorm(9)
Vishay BC Components(15)
Vishay Beyschlag(119)
Vishay Electro-Films(50)
Vishay Huntington Electric Inc.(15)
Vishay Semiconductor Diodes Division(7)
Vishay Semiconductor Opto Division(4)
Vishay Sfernice(3)
Vishay Siliconix(22)
Vishay Spectrol(2)
Vishay Thin Film(3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 29.8W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF9N60NT
仓库库存编号:
FCPF9N60NT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 23.8A(Tc) 176W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R160C6
仓库库存编号:
IPP60R160C6-ND
别名:IPP60R160C6XKSA1
SP000652796
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R190E6
仓库库存编号:
IPW60R190E6-ND
别名:IPW60R190E6FKSA1
SP000797384
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 23.8A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R160C6
仓库库存编号:
IPA60R160C6-ND
别名:IPA60R160C6XKSA1
SP000652794
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 30W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI26N60M2
仓库库存编号:
497-16517-5-ND
别名:497-16517-5
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF26N60M2
仓库库存编号:
497-16514-5-ND
别名:497-16514-5
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R6010ANX
仓库库存编号:
R6010ANX-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 68W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R180C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R180C7XKSA1-ND
别名:SP001296232
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 208W(Tc) TO-220
型号:
FCP190N60
仓库库存编号:
FCP190N60-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 120W(Tc) TO-3PF
型号:
R6020ENZC8
仓库库存编号:
R6020ENZC8-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 120W(Tc) TO-247
型号:
R6020ENZ1C9
仓库库存编号:
R6020ENZ1C9-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 35W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA22N60E-E3
仓库库存编号:
SIHA22N60E-E3-ND
别名:SIHA22N60E-E3CT
SIHA22N60E-E3CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 23.8A(Tc) 176W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R160C6
仓库库存编号:
IPW60R160C6-ND
别名:IPW60R160C6FKSA1
SP000652798
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP21N60EF-GE3
仓库库存编号:
SIHP21N60EF-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 219W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R125P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R125P6XKSA1-ND
别名:SP001114648
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 FP
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 35W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA21N60EF-E3
仓库库存编号:
SIHA21N60EF-E3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) D2PAK
型号:
SIHB22N60E-E3
仓库库存编号:
SIHB22N60E-E3-ND
别名:SIHB22N60EE3
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC40LCPBF
仓库库存编号:
IRFBC40LCPBF-ND
别名:*IRFBC40LCPBF
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG21N60EF-GE3
仓库库存编号:
SIHG21N60EF-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 219W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R125C6
仓库库存编号:
IPP60R125C6-ND
别名:IPP60R125C6XKSA1
SP000685844
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF35N60DM2
仓库库存编号:
497-16358-5-ND
别名:497-16358-5
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 210W(Tc) TO-220
型号:
STP35N60DM2
仓库库存编号:
497-16359-5-ND
别名:497-16359-5
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 219W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R125C6
仓库库存编号:
IPW60R125C6-ND
别名:IPW60R125C6FKSA1
SP000641912
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 27A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
AOK27S60L
仓库库存编号:
785-1534-5-ND
别名:AOK27S60L-ND
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
详细描述:通孔 N 沟道 37.9A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R099P6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R099P6XKSA1-ND
别名:SP001114654
规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号