规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH6N90
仓库库存编号：
IXFH6N90-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 900V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH10N90
仓库库存编号：
IXFH10N90-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF20S
仓库库存编号：
IRFBF20S-ND
别名：*IRFBF20S
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBF20G
仓库库存编号：
IRFIBF20G-ND
别名：*IRFIBF20G
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.9A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBF30G
仓库库存编号：
IRFIBF30G-ND
别名：*IRFIBF30G
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 4.7A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 900V 4.7A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPF40
仓库库存编号：
IRFPF40-ND
别名：*IRFPF40
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBF20L
仓库库存编号：
IRFBF20L-ND
别名：*IRFBF20L
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF20STRL
仓库库存编号：
IRFBF20STRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF20STRR
仓库库存编号：
IRFBF20STRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 900V 3.6A（Tc） I2PAK
型号：
IRFBF30L
仓库库存编号：
IRFBF30L-ND
别名：*IRFBF30L
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF30S
仓库库存编号：
IRFBF30S-ND
别名：*IRFBF30S
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF30STRL
仓库库存编号：
IRFBF30STRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF30STRR
仓库库存编号：
IRFBF30STRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 26A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
型号：
STE26NA90
仓库库存编号：
497-3168-5-ND
别名：497-3168-5
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 26A MAX247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 26A（Tc） 450W（Tc） MAX247?
型号：
STY30NK90Z
仓库库存编号：
497-4431-5-ND
别名：497-4431-5
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 40A（Tc） 600W（Tc） ISOTOP?
型号：
STE40NK90ZD
仓库库存编号：
497-4337-5-ND
别名：497-4337-5
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 28A（Tc） 500W（Tc） ISOTOP?
型号：
STE30NK90Z
仓库库存编号：
497-4336-5-ND
别名：497-4336-5
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF30SPBF
仓库库存编号：
IRFBF30SPBF-ND
别名：*IRFBF30SPBF
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 900V 11A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
FQA11N90C
仓库库存编号：
FQA11N90C-ND
别名：Q2658628A
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） I-Pak
型号：
FQU2N90TU
仓库库存编号：
FQU2N90TU-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF2NA90
仓库库存编号：
FQPF2NA90-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 900V 2.8A（Tc） 107W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP2NA90
仓库库存编号：
FQP2NA90-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.4A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.4A（Tc） 35W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF2N90
仓库库存编号：
FQPF2N90-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 900V 2.2A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） I2PAK
型号：
FQI2N90TU
仓库库存编号：
FQI2N90TU-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 2.2A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB2N90TM
仓库库存编号：
FQB2N90TM-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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