规格:漏源电压(Vdss) 900V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF9N90
仓库库存编号:
AOTF9N90-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: >800V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.5A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
DMN90H8D5HCT
仓库库存编号:
DMN90H8D5HCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: >800V ITO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 40W(Tc) ITO-220AB
型号:
DMN90H2D2HCTI
仓库库存编号:
DMN90H2D2HCTI-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
搜索
Sanken
MOSFET N-CH 900V TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Ta) 30W(Tc) TO-220F
型号:
2SK2943
仓库库存编号:
2SK2943-ND
别名:2SK2943 DK
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
2SK3566(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
2SK3566(STA4QM)-ND
别名:2SK3566(Q)
2SK3566(STA4QM)
2SK3566Q
2SK3566Q-ND
2SK3566STA4QM
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 3.5A
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 2W(Ta),35W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
BFL4026-1E
仓库库存编号:
BFL4026-1E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRFBF30STRLPBF
仓库库存编号:
IRFBF30STRLPBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.1A
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 2W(Ta),37W(Tc) TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
型号:
BFL4001-1E
仓库库存编号:
BFL4001-1E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 9A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 368W(Tc) TO-247
型号:
AOK9N90
仓库库存编号:
AOK9N90-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPF30PBF
仓库库存编号:
IRFPF30PBF-ND
别名:*IRFPF30PBF
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 11.4A(Tc) 300W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA11N90_F109
仓库库存编号:
FQA11N90_F109-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBF30
仓库库存编号:
IRFBF30-ND
别名:*IRFBF30
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 380W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH12N90P
仓库库存编号:
IXFH12N90P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH6N90
仓库库存编号:
IXTH6N90-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH7N90Q
仓库库存编号:
IXFH7N90Q-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 18A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 18A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXFT18N90P
仓库库存编号:
IXFT18N90P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH6N90A
仓库库存编号:
IXTH6N90A-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10.5A(Tc) 200W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR18N90P
仓库库存编号:
IXFR18N90P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6.7A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPF50
仓库库存编号:
IRFPF50-ND
别名:*IRFPF50
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 16A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 16A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT16N90Q
仓库库存编号:
IXFT16N90Q-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 13A(Tc) 230W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N90P
仓库库存编号:
IXFR24N90P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 35A(Tc) 113W(Tc) D2PAK-7
型号:
C3M0065090J-TR
仓库库存编号:
C3M0065090J-TR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 13A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH13N90
仓库库存编号:
IXFH13N90-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 12A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH12N90
仓库库存编号:
IXTH12N90-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 900V 12A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH12N90
仓库库存编号:
IXFH12N90-ND
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