规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 26A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN26N90
仓库库存编号：
IXFN26N90-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP4N90C
仓库库存编号：
FQP4N90C-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 47W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF4N90C
仓库库存编号：
FQPF4N90C-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF20SPBF
仓库库存编号：
IRFBF20SPBF-ND
别名：*IRFBF20SPBF
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 167W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP6N90C
仓库库存编号：
FQP6N90C-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF6N90C
仓库库存编号：
FQPF6N90C-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V TO220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK7A90E,S4X
仓库库存编号：
TK7A90ES4X-ND
别名：TK7A90E,S4X(S
TK7A90ES4X
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 68W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF9N90CT
仓库库存编号：
FQPF9N90CT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V TO220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK9A90E,S4X
仓库库存编号：
TK9A90ES4X-ND
别名：TK9A90E,S4X(S
TK9A90ES4X
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBF20LPBF
仓库库存编号：
IRFBF20LPBF-ND
别名：*IRFBF20LPBF
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 200W（Tc） TO-3P（N）
型号：
TK7J90E,S1E
仓库库存编号：
TK7J90ES1E-ND
别名：TK7J90E,S1E(S
TK7J90ES1E
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 540W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH18N90P
仓库库存编号：
IXFH18N90P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 660W（Tc） TO-268
型号：
IXFT24N90P
仓库库存编号：
IXFT24N90P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 660W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH24N90P
仓库库存编号：
IXFH24N90P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 390W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT36N90BC3G
仓库库存编号：
APT36N90BC3G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP90R1K2C3
仓库库存编号：
IPP90R1K2C3-ND
别名：IPP90R1K2C3XKSA1
SP000411302
SP000683096
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） TO-220
型号：
STP4N90K5
仓库库存编号：
497-17070-ND
别名：497-17070
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
型号：
STF4N90K5
仓库库存编号：
497-17071-ND
别名：497-17071
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 5.7A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA90R1K0C3
仓库库存编号：
IPA90R1K0C3-ND
别名：IPA90R1K0C3XKSA1
SP000413712
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW90R1K2C3
仓库库存编号：
IPW90R1K2C3-ND
别名：IPW90R1K2C3FKSA1
SP000413754
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
STU6N90K5
仓库库存编号：
497-17076-ND
别名：497-17076
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） TO-220
型号：
STP6N90K5
仓库库存编号：
497-17074-ND
别名：497-17074
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
详细描述：通孔 N 沟道 TO-220FP
型号：
STF6N90K5
仓库库存编号：
497-17073-ND
别名：497-17073
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） I2PAK
型号：
STI6N90K5
仓库库存编号：
497-17075-ND
别名：497-17075
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 6.9A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW90R800C3
仓库库存编号：
IPW90R800C3-ND
别名：IPW90R800C3FKSA1
SP000413758
规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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