规格:漏源电压(Vdss) 900V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(297)
分立半导体产品
(297)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(7)
Cree/Wolfspeed(7)
Diodes Incorporated(2)
Fairchild/Micross Components(29)
Fairchild/ON Semiconductor(3)
Global Power Technologies Group(13)
Infineon Technologies(24)
IXYS(51)
Microsemi Corporation(11)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(7)
ON Semiconductor(37)
Renesas Electronics America(6)
Sanken(1)
STMicroelectronics(50)
Taiwan Semiconductor Corporation(12)
Toshiba Semiconductor and Storage(10)
Vishay BC Components(8)
Vishay Beyschlag(10)
Vishay Electro-Films(5)
Vishay Huntington Electric Inc.(1)
Vishay Semiconductor Diodes Division(1)
Vishay Sfernice(1)
Vishay Sprague(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 3.13W(Ta),158W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB5N90TM
仓库库存编号:
FQB5N90TMCT-ND
别名:FQB5N90TMCT
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 900V 11.5A
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Tc) 54W(Tc) TO-247-3
型号:
C3M0280090D
仓库库存编号:
C3M0280090D-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 5.8A(Tc) 140W(Tc) TO-247-3
型号:
STW7NK90Z
仓库库存编号:
497-7624-5-ND
别名:497-7624-5
STW7NK90Z-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 900V 11A
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 50W(Tc) D2PAK-7
型号:
C3M0280090J-TR
仓库库存编号:
C3M0280090J-TRCT-ND
别名:C3M0280090J-TRCT
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 9.2A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 9.2A(Tc) 200W(Tc) TO-247-3
型号:
STW11NK90Z
仓库库存编号:
497-6198-5-ND
别名:497-6198-5
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Cree/Wolfspeed
900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 97W(Tc) TO-247-3
型号:
C3M0120090D
仓库库存编号:
C3M0120090D-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 350W(Tc) TO-247-3
型号:
STW15NK90Z
仓库库存编号:
497-3557-5-ND
别名:497-3557-5
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 18.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF21N90K5
仓库库存编号:
497-12853-5-ND
别名:497-12853-5
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
C3M0065090D
仓库库存编号:
C3M0065090D-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 113W(Tc) D2PAK-7
型号:
C3M0065090J
仓库库存编号:
C3M0065090J-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N90TM
仓库库存编号:
FQD2N90TMCT-ND
别名:FQD2N90TMCT
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 3A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STP3NK90ZFP
仓库库存编号:
497-5979-5-ND
别名:497-5979-5
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.1A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP2NK90Z
仓库库存编号:
497-4378-5-ND
别名:497-4378-5
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA90R500C3
仓库库存编号:
IPA90R500C3-ND
别名:IPA90R500C3XKSA1
SP000413716
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 18.5A(Tc) 250W(Tc) TO-220-3
型号:
STP21N90K5
仓库库存编号:
497-12864-5-ND
别名:497-12864-5
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 417W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R120C3
仓库库存编号:
IPW90R120C3-ND
别名:IPW90R120C3FKSA1
IPW90R120C3XK
Q4173182
SP000413750
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.2A(Tc) 85W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2N90
仓库库存编号:
FQP2N90FS-ND
别名:FQP2N90-ND
FQP2N90FS
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBF20PBF
仓库库存编号:
IRFBF20PBF-ND
别名:*IRFBF20PBF
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 4.7A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 4.7A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPF40PBF
仓库库存编号:
IRFPF40PBF-ND
别名:*IRFPF40PBF
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 156W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R500C3
仓库库存编号:
IPW90R500C3-ND
别名:IPW90R500C3FKSA1
SP000413756
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 6.7A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPF50PBF
仓库库存编号:
IRFPF50PBF-ND
别名:*IRFPF50PBF
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.9A(Tc) 104W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90R800C3
仓库库存编号:
IPP90R800C3-ND
别名:IPP90R800C3XKSA1
SP000413748
SP000683102
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 15A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 208W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB90R340C3ATMA1
仓库库存编号:
IPB90R340C3ATMA1CT-ND
别名:IPB90R340C3ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
详细描述:通孔 N 沟道 TO-247
型号:
STW6N90K5
仓库库存编号:
497-17077-ND
别名:497-17077
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 1.9A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBF30GPBF
仓库库存编号:
IRFIBF30GPBF-ND
别名:*IRFIBF30GPBF
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号